公开(公告)号：CN116487476A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310399207.X

申请日：2023-04-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 高睿思 ,  李康华 ,  杨非凡 ,  陈超 ,  张光祖 ,  姜胜林 ,  唐江

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  H01L31/032 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种面向CMOS集成的掺杂硒化锑短波红外探测器的制备方法，采用双温区管式炉，基于双源气相转移沉积法，以硒化铋或碲化锑粉末作为第一蒸发源，以硒化锑粉末作为第二蒸发源，加热第一温区和第二温区，其中，第一温区不晚于第二温区达到对应的预设工作温度；当第二温区的保温时间达到预设时间后，第一温区和第二温区同时停止加热，即可得到P型吸光层。本发明利用双源气相转移沉积法实现掺杂硒化锑合金薄膜的制备，进一步形成的短波红外探测器具有简单的器件结构，可有效解决现有硒化铋探测器探测范围小于1100nm的问题，能够拓展其在短波红外探测领域的应用，尤其可实现CMOS一体化集成。