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公开(公告)号：CN119183338A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411177524.8
申请日：2024-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用添加剂工艺优化钙钛矿太阳能电池薄膜激光退火工艺的方法及应用，属于钙钛矿太阳能电池制造技术领域。本发明通过在激光退火加工的钙钛矿前驱体溶液中添加少量的添加剂BACl，可以降低钙钛矿形成的活化能，促进结晶形成，同时它的挥发会带走热量，使得退火时各处温度趋于一致，使得结晶效果更加理想，从而增加薄膜均匀性，降低表面缺陷，提高电池的光电性能，本发明能够加速钙钛矿太阳能电池的商业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113161485A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110430878.9
申请日：2021-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积薄膜的制备方法及其应用。该制备方法包括配制膜液及将所述膜液置于超声环境下在薄膜基材上成膜的步骤；其中，超声环境是将薄膜基材连接于外部超声装置上和/或将所述膜液的释放容器连接于外部超声装置上营造的。该制备方法制得的薄膜，结晶质量高、表面缺陷少；以其中的钙钛矿薄膜制备的太阳能电池性能优良，可以获得较高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115915776A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211224074.4
申请日：2022-10-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10K30/00 , H10K85/00 , C07D207/46 , C07D211/94
Abstract: 本发明公开了一种用于修饰空穴传输层的氧铵盐及空穴传输层、光电器件，该氧铵盐为基于2,2,6,6‑四甲基哌啶氮氧化合物的氧化物，该空穴传输层由氧铵盐修饰的有机载流子传输半导体材料制备得到，该光电器件包括该空穴传输层。本发明的用于修饰空穴传输层的氧铵盐及空穴传输层、光电器件具有稳定性高和光电转换效率高的特点。
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公开(公告)号：CN112234146A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011222581.5
申请日：2020-11-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿吸光层的制备方法、钙钛矿太阳能电池及制备方法，该种钙钛矿吸光层的制备方法包括以下步骤：在第一基底一侧面制备第一钙钛矿过渡态材料；在第二基底一侧面制备第二钙钛矿过渡态材料；将第二基底制备有第二钙钛矿过渡态材料的侧面与第一基底制备有第一钙钛矿过渡态材料侧面相贴合，并于压力为0.1～100Mpa、温度为30～150℃下加热3～20min，使第二钙钛矿过渡态材料迁移至第一基底上，即得钙钛矿吸光层。本发明的钙钛矿吸光层的制备方法，制备得到的钙钛矿吸光层，孔洞、缺陷小，得到的钙钛矿吸光层平整度高，大大提高了钙钛矿吸光层的质量，提升了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN119212521A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411177522.9
申请日：2024-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用超声辅助热风脱溶制备钙钛矿薄膜的方法及应用，属于钙钛矿太阳能电池制造技术领域。本发明在制备钙钛矿活性层时，旋涂完后施加超声，在超声处理过后立即热风脱溶，最后热退火处理。本发明使用的超声处理是为了促进底界面成核，同时超声产生微流效应，使得晶核在薄膜之中扩散均匀，钙钛矿薄膜的结晶质量得到提高，缺陷密度大大降低，性能得以提高，均匀的结晶也会使得其内应力下降，使得最终器件稳定性得到提高。
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公开(公告)号：CN116456735A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310497825.8
申请日：2023-05-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种功能型配体‑钙钛矿量子点复合材料修饰的太阳能电池，包括层次分布的导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极，其中，功能型配体‑钙钛矿量子点复合材料包括用于修饰钙钛矿吸光层和空穴传输层界面的短链芳香羧酸配体‑钙钛矿量子点复合材料以及添加在空穴传输层中用以修饰空穴传输层的自由基聚合物配体‑钙钛矿量子点复合材料。本发明的功能型配体‑钙钛矿量子点修饰的太阳能电池具有稳定性高、表面粗糙度小、表面缺陷少和电化学性能优异的特点。
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