公开(公告)号：CN114136528A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111479834.1

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 焦贵忠 ,  陈传钊 ,  盛健

IPC: G01L9/06 ,  G01L9/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种SOI压力敏感芯片，SOI衬底硅正面设有倒梯形的微腔构成的感压膜片，其特征在于：衬底硅背面制有顶层硅围堰（1），感压膜片区域（4）制有敏感桥阻R1—R4；感压膜片区域对角制有一字型顶层硅互连线（2），其端部的Z字型互联线（5）两端对应的敏感桥阻连接，顶层硅互连线外端部制有焊盘（3）；感压膜片区域制有X字型顶层硅互连线（6），其两个内端与敏感桥阻另一端连接。本发明采用中心对称构造,利用芯片正/反向压力感传对称的特征,使得SOI压力敏感芯片线性压阻灵敏度双向对称一致。本发明兼容静态压力和动态压力测量，可覆盖高性能的低中高压力传感器量程规格和适应560℃以下的高宽温度压力测量环境。

公开(公告)号：CN114136528B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202111479834.1

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 焦贵忠 ,  陈传钊 ,  盛健

IPC: G01L9/06 ,  G01L9/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种SOI压力敏感芯片，SOI衬底硅正面设有倒梯形的微腔构成的感压膜片，其特征在于：衬底硅背面制有顶层硅围堰（1），感压膜片区域（4）制有敏感桥阻R1—R4；感压膜片区域对角制有一字型顶层硅互连线（2），其端部的Z字型互联线（5）两端对应的敏感桥阻连接，顶层硅互连线外端部制有焊盘（3）；感压膜片区域制有X字型顶层硅互连线（6），其两个内端与敏感桥阻另一端连接。本发明采用中心对称构造,利用芯片正/反向压力感传对称的特征,使得SOI压力敏感芯片线性压阻灵敏度双向对称一致。本发明兼容静态压力和动态压力测量，可覆盖高性能的低中高压力传感器量程规格和适应560℃以下的高宽温度压力测量环境。