公开(公告)号：CN118475231B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202410935595.3

申请日：2024-07-12

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 郁文 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  李君建 ,  刘芳 ,  陈燕宁 ,  张俊江 ,  曹永万 ,  陆珊珊 ,  罗宗兰

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58

Abstract: 本申请提供一种隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆，属于半导体集成电路技术领域。所述器件包括衬底，以及第一金属层，设置于所述衬底上；介质层，设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；第二金属层，设置于所述介质层远离所述第一金属层的一侧；且所述第二金属层的中心在衬底上的正投影与第一金属层的中心在衬底上的正投影重合，所述第二金属层的电位高于所述第一金属层的电位；至少两个器件金属环组，所述至少两个器件金属环组在衬底上的正投影与第一金属层之间的间距沿第一金属层到第二金属层方向递增，所述器件金属环组通过金属通孔连接后接地，以形成法拉第笼隔离屏蔽所述隔离电容器件受到的外部干扰。

公开(公告)号：CN118297012A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410727943.8

申请日：2024-06-06

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 刘芳 ,  陈燕宁 ,  郁文 ,  陆珊珊 ,  曹永万 ,  吴波 ,  梁英宗 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC: G06F30/33 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明涉及芯片领域，公开一种老化效应的仿真方法、仿真系统与芯片。所述方法包括：根据Finfet在一时间段内的漏源电压与电流、热电容及热电阻，确定自热引起Finfet的温升；根据温升与未考虑自热的Finfet在该时间段内的工作温度，确定考虑自热的Finfet在该时间段内的实际温度；及根据漏源电压、实际温度及未考虑自热的Finfet在该时间段内的原始阈值电压，确定考虑自热的Finfet的阈值电压，和/或根据漏源电流、实际温度及未考虑自热的Finfet在该时间段内的原始饱和电流，确定考虑自热的Finfet的饱和电流。本发明精确且有效地仿真考虑自热的Finfet的老化量，可提前预判Finfet性能。

公开(公告)号：CN118475231A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410935595.3

申请日：2024-07-12

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 郁文 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  李君建 ,  刘芳 ,  陈燕宁 ,  张俊江 ,  曹永万 ,  陆珊珊 ,  罗宗兰

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58

Abstract: 本申请提供一种隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆，属于半导体集成电路技术领域。所述器件包括衬底，以及第一金属层，设置于所述衬底上；介质层，设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；第二金属层，设置于所述介质层远离所述第一金属层的一侧；且所述第二金属层的中心在衬底上的正投影与第一金属层的中心在衬底上的正投影重合，所述第二金属层的电位高于所述第一金属层的电位；至少两个器件金属环组，所述至少两个器件金属环组在衬底上的正投影与第一金属层之间的间距沿第一金属层到第二金属层方向递增，所述器件金属环组通过金属通孔连接后接地，以形成法拉第笼隔离屏蔽所述隔离电容器件受到的外部干扰。