公开(公告)号：CN115498034B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202211118526.0

申请日：2022-09-13

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 窦永铭 ,  边旭明 ,  陈瑞 ,  董鹏 ,  徐浩 ,  廖梦雅 ,  刘满满 ,  杨云畅

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。在一具体实施方式中，包括缓冲层；在缓冲层上方形成的GaN沟道层；在GaN沟道层上方形成的势垒层；在势垒层上方形成的栅极、源极和漏极；第一钝化层，其形成在栅极和漏极之间的区域以及栅极和源极之间的区域中；以及栅极场板，其电连接到栅极并形成在第一钝化层上方，该栅极场板上形成有图形化开孔。该实施方式通过图形化的场板结构，直接控制场板产生电场的强度大小、强度的均匀性和面积大小，能够平均峰值电场；同时也可以最大面积上抑制虚栅形成，有利于器件更稳定工作；而且可以有效提升场板金属的制程良率，也可以降低贵金属的使用量，降低生产成本。

公开(公告)号：CN115498034A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211118526.0

申请日：2022-09-13

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 窦永铭 ,  边旭明 ,  陈瑞 ,  董鹏 ,  徐浩 ,  廖梦雅 ,  刘满满 ,  杨云畅

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。在一具体实施方式中，包括缓冲层；在缓冲层上方形成的GaN沟道层；在GaN沟道层上方形成的势垒层；在势垒层上方形成的栅极、源极和漏极；第一钝化层，其形成在栅极和漏极之间的区域以及栅极和源极之间的区域中；以及栅极场板，其电连接到栅极并形成在第一钝化层上方，该栅极场板上形成有图形化开孔。该实施方式通过图形化的场板结构，直接控制场板产生电场的强度大小、强度的均匀性和面积大小，能够平均峰值电场；同时也可以最大面积上抑制虚栅形成，有利于器件更稳定工作；而且可以有效提升场板金属的制程良率，也可以降低贵金属的使用量，降低生产成本。