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公开(公告)号：CN105680822B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610007381.5
申请日：2016-01-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感，该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。其中负跨导放大器为在共源极‑共栅极结构上加入多重电压调制电路；可调节的有源反馈电阻连接于正负跨导放大器之间，用于改善有源电感的实部损耗，进而进一步地提高Q值；可变电容连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端，用于调节有源电感的负载电容，进而扩展电感值和Q值的调节范围。两个可调电流源分别为正跨导放大器和负跨导放大器提供直流偏置，并可以调节有源电感的工作频率范围。这些组成部分使得该有源电感的工作频率、电感值和Q值均可进行调节。
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公开(公告)号：CN106169498B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610617990.2
申请日：2016-07-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑yGey集电区、应变Si1‑xGex基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si1‑yGey集电区引入与应变Si1‑xGex基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si1‑yGey集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si1‑yGey集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104917488A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510366412.1
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/08
Abstract: 本发明提供了一种射频有源电感，包括第一级回转器，第二级回转器，耦合电容，可变电容，直流偏置电路，其中，第一级回转器与第二级回转器通过耦合电容耦合形成级联回转器结构，第一级回转器的输入端作为有源电感的信号输入端，第二级回转器的输出端作为有源电感的信号输出端，可变电容的输入端连接第一级回转器的输出端，直流偏置电路同时连接第一级回转器与第二级回转器，提供直流偏置。本发明创新地采用级联回转器结构，提高了有源电感的自谐振频率，使有源电感可在高频段下工作，通过调节可变电容的电容值使有源电感的等效电感值与品质因子Q在高频范围内可调，可满足无线通信系统中的射频集成电路与射频系统在高频段下工作的需求。
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公开(公告)号：CN104980125B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510393676.6
申请日：2015-07-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供了一种采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感。该电感包括：负阻反馈晶体管，负跨导放大器，共栅跨导放大器，第一可调电阻网络，第二可调电阻网络，第一正跨导放大器，第二正跨导放大器，第一可调电流源，第二可调电流源。其中负阻反馈晶体管连接负跨导放大器形成负阻结构，提高有源电感的Q值。共栅跨导放大器提高有源电感的带宽。负跨导放大器与两个正跨导放大器一起构成双回转器结构提高有源电感的等效电感和Q值。两个可调电阻网络用来调节等效电感和Q值。两个可调电流源提供电流偏置。该有源电感的电感值的频率带宽能达到10GHz以上，电感值能在5nH到60nH之间调谐，Q值能达到1000，且Q值大于20的频带能达到5个GHz。
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公开(公告)号：CN104980125A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510393676.6
申请日：2015-07-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供了一种采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感。该电感包括：负阻反馈晶体管，负跨导放大器，共栅跨导放大器，第一可调电阻网络，第二可调电阻网络，第一正跨导放大器，第二正跨导放大器，第一可调电流源，第二可调电流源。其中负阻反馈晶体管连接负跨导放大器形成负阻结构，提高有源电感的Q值。共栅跨导放大器提高有源电感的带宽。负跨导放大器与两个正跨导放大器一起构成双回转器结构提高有源电感的等效电感和Q值。两个可调电阻网络用来调节等效电感和Q值。两个可调电流源提供电流偏置。该有源电感的电感值的频率带宽能达到10GHz以上，电感值能在5nH到60nH之间调谐，Q值能达到1000，且Q值大于20的频带能达到5个GHz。
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公开(公告)号：CN106169498A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610617990.2
申请日：2016-07-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0607 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑yGey集电区、应变Si1‑xGex基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si1‑yGey集电区引入与应变Si1‑xGex基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si1‑yGey集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si1‑yGey集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。
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公开(公告)号：CN105680822A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610007381.5
申请日：2016-01-06
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03H11/0422 , H03F1/565
Abstract: 一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感，该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。其中负跨导放大器为在共源极-共栅极结构上加入多重电压调制电路；可调节的有源反馈电阻连接于正负跨导放大器之间，用于改善有源电感的实部损耗，进而进一步地提高Q值；可变电容连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端，用于调节有源电感的负载电容，进而扩展电感值和Q值的调节范围。两个可调电流源分别为正跨导放大器和负跨导放大器提供直流偏置，并可以调节有源电感的工作频率范围。这些组成部分使得该有源电感的工作频率、电感值和Q值均可进行调节。
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