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公开(公告)号:CN113960446B
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202111178666.2
申请日:2021-10-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种可控温的SiC芯片功率循环实验装置,包括:箱体、承载台、环境加热器、冷却水箱、硅脂、SiC芯片、Al2O3绝缘层、芯片加热器和热电偶。该装置通过环境加热器提供箱体内部的环境温度,通过芯片加热器来模拟SiC芯片工作时自身所产生的热量,之后通过冷却水箱来加速SiC芯片冷却,完成一次功率循环。通过稳压电源给环境加热器和芯片加热器提供稳定的电源,通过控制电脑控制该装置的循环次数及循环时间,从而达到加速实验的目的。
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公开(公告)号:CN113960446A
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202111178666.2
申请日:2021-10-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种可控温的SiC芯片功率循环实验装置,包括:箱体、承载台、环境加热器、冷却水箱、硅脂、SiC芯片、Al2O3绝缘层、芯片加热器和热电偶。该装置通过环境加热器提供箱体内部的环境温度,通过芯片加热器来模拟SiC芯片工作时自身所产生的热量,之后通过冷却水箱来加速SiC芯片冷却,完成一次功率循环。通过稳压电源给环境加热器和芯片加热器提供稳定的电源,通过控制电脑控制该装置的循环次数及循环时间,从而达到加速实验的目的。
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