公开(公告)号：CN1953315B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200610113570.7

申请日：2006-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  郝一龙 ,  金玉丰 ,  田大宇 ,  王颖 ,  陈治宇

IPC: H02N1/00 ,  H02N1/08

Abstract: 本发明公开了加工基于无机驻极体的MEMS微发电机的方法。本发明加工方法，包括如下步骤：1)在无机衬底表面光刻、溅射金属电极，剥离得到下金属电极；2)在无机衬底表面沉积无机驻极体薄膜，经光刻腐蚀形成驻极体图形；3)在硅衬底上表面光刻，腐蚀出浅槽，并在硅表面注入硼；4)将所述硅衬底与所述无机衬底表面牢固结合在一起，其中，硅衬底带有浅槽的表面与无机衬底带有驻极体图形的表面相对；5)通过光刻并刻蚀上层硅衬底形成上极板，刻蚀位置与驻极体图形的位置相对应；6)在无机驻极体薄膜内注入电荷，得到所述MEMS微发电机。本发明方法具有与集成电路工艺兼容性好，可批量生产，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN1953315A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610113570.7

申请日：2006-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  郝一龙 ,  金玉丰 ,  田大宇 ,  王颖 ,  陈治宇

IPC: H02N1/00 ,  H02N1/08

Abstract: 本发明公开了加工基于无机驻极体的MEMS微发电机的方法。本发明加工方法，包括如下步骤：1)在无机衬底表面光刻、溅射金属电极，剥离得到下金属电极；2)在无机衬底表面沉积无机驻极体薄膜，经光刻腐蚀形成驻极体图形；3)在硅衬底上表面光刻，腐蚀出浅槽，并在硅表面注入硼；4)将所述硅衬底与所述无机衬底表面牢固结合在一起，其中，硅衬底带有浅槽的表面与无机衬底带有驻极体图形的表面相对；5)通过光刻并刻蚀上层硅衬底形成上极板，刻蚀位置与驻极体图形的位置相对应；6)在无机驻极体薄膜内注入电荷，得到所述MEMS微发电机。本发明方法具有与集成电路工艺兼容性好，可批量生产，应用前景广阔。