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公开(公告)号：CN111525273A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010391879.2
申请日：2020-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹超表面贝塞尔透镜，属于太赫兹技术领域。该太赫兹贝塞尔透镜的超表面包括若干个谐振子阵列单元，每个谐振子的特征尺寸是亚工作波长，谐振子阵列单元的设计为：对太赫兹贝塞尔透镜的相位进行多级离散化，得到离散后的相位值；利用离散后的相位值和太赫兹贝塞尔透镜的相位分布关系仿真得到谐振子阵列单元的特征尺寸；若谐振子阵列在一个维度上的谐振子结构和尺寸相同，在另一个维度上的谐振子结构和尺寸则不同，或者，所述谐振子阵列在两个维度上的谐振子结构和尺寸均不同。本发明提供的太赫兹贝塞尔透镜易于调节参数、制备工艺简单，极薄、尺寸小，容易实现集成化和微型化。
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公开(公告)号：CN111157486A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811323159.1
申请日：2018-11-08
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明公开了一种三维太赫兹成像方法，具体涉及一种频域太赫兹相干层析成像方法。宽带太赫兹波被分成探测波和参考波，探测波被聚焦成点波束或线波束入射到被测物体上，参考波则是被原路反射回。不同频率的探测波入射到物体的不同深度处发生背向散射，背向散射回的携带物体深度信息的探测波与参考波的光程差恒定发生干涉；干涉信号经光栅分频后聚焦到线阵型或者面阵型太赫兹探测器上，探测器的不同像元探测不同频率和不同位置的干涉信号的振幅信息；对被测物体进行一维或者二维平面的连续扫描并实时采集扫描的相干信息，最终得到物体的全部三维结构数据。该方法可以显著提高太赫兹三维成像的速度并且可以在高信噪比的情况下获得高的纵向分辨率。
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公开(公告)号：CN115118238B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110309835.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOI NMOS器件和SOI PMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOI CMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。
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公开(公告)号：CN115118238A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110309835.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOI NMOS器件和SOI PMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOI CMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。
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公开(公告)号：CN111525273B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010391879.2
申请日：2020-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹超表面贝塞尔透镜，属于太赫兹技术领域。该太赫兹贝塞尔透镜的超表面包括若干个谐振子阵列单元，每个谐振子的特征尺寸是亚工作波长，谐振子阵列单元的设计为：对太赫兹贝塞尔透镜的相位进行多级离散化，得到离散后的相位值；利用离散后的相位值和太赫兹贝塞尔透镜的相位分布关系仿真得到谐振子阵列单元的特征尺寸；若谐振子阵列在一个维度上的谐振子结构和尺寸相同，在另一个维度上的谐振子结构和尺寸则不同，或者，所述谐振子阵列在两个维度上的谐振子结构和尺寸均不同。本发明提供的太赫兹贝塞尔透镜易于调节参数、制备工艺简单，极薄、尺寸小，容易实现集成化和微型化。
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