公开(公告)号：CN1266739C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN03130642.X

申请日：2003-05-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王翔 ,  张大成 ,  李婷 ,  王玮 ,  王颖

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)对键合面进行清洗：3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN1549302A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03130642.X

申请日：2003-05-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王翔 ,  张大成 ,  李婷 ,  王玮 ,  王颖

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)必要的界面处理；3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明还提供了两种键合强度的检测方法，分别为压臂法和张开型测试法。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN1828858A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610007253.7

申请日：2003-05-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王翔 ,  张大成 ,  李婷 ,  王玮 ,  王颖

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种检测半导体微器件键合强度的方法，该方法是根据式(II)设计一组类似的压臂模型：8α/3≤l≤50000/α (Ⅱ）测出在某一长度l时，键合面开裂，即可算出或比较键合强度。利用本发明的方法，可以方便地对半导体微器件键合的强度进行检测。