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公开(公告)号：CN101246540A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810102117.5
申请日：2008-03-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高频射频电子标签阅读器的泄漏补偿方法及实现上述补偿方法的超高频射频电子标签阅读器的射频前端，属于无线射频技术领域。本发明核心是，采用两个环形隔离器或耦合器，通过控制器件的布局和PCB板的走线，获得信号延迟相同的两路信号，一路为叠加了泄漏信号的有用信号，另一路为与泄漏信号大小相等、幅度相同的补偿信号，两个信号通路通过低噪声放大器做相减操作，即可把泄漏信号去除掉，从而在射频前端获得干净的有用信号，从而提高了超高频射频电子标签阅读器的灵敏度，并极大地降低了传统阅读器结构中各电路模块的设计难度，更易于实现射频电子标签阅读器的系统单片集成。
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公开(公告)号：CN101246540B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810102117.5
申请日：2008-03-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高频射频电子标签阅读器的泄漏补偿方法及实现上述补偿方法的超高频射频电子标签阅读器的射频前端，属于无线射频技术领域。本发明核心是，采用两个环形隔离器或耦合器，通过控制器件的布局和PCB板的走线，获得信号延迟相同的两路信号，一路为叠加了泄漏信号的有用信号，另一路为与泄漏信号大小相等、幅度相同的补偿信号，两个信号通路通过低噪声放大器做相减操作，即可把泄漏信号去除掉，从而在射频前端获得干净的有用信号，从而提高了超高频射频电子标签阅读器的灵敏度，并极大地降低了传统阅读器结构中各电路模块的设计难度，更易于实现射频电子标签阅读器的系统单片集成。
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公开(公告)号：CN101257304B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810103338.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种双环路频率综合器及其粗调环路的调谐方法，属于无线收发机中的频率综合器技术领域。该频率综合器由粗调环路和细调环路组成，其中，粗调环路由分频频率计数器、参考频率计数器、移位器、比较器和有限状态机组成，分频频率计数器的输入端和细调环路的压控振荡器的分频信号Fdiv相连，所述移位器与分频频率计数器或参考频率计数器连接，用于将分频频率计数器或参考频率计数器的计数值左移n位，分频频率计数器和参考频率计数器的计数值分别输出给比较器，比较器的比较结果作为有限状态机的输入。本发明与传统结构相比，既缩小了粗调谐所需时间，又可以根据需要获得较高的调谐精度。
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公开(公告)号：CN101266930A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810103871.0
申请日：2008-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管的制备领域，该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法，仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS，即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区，并定义栅区线条版；源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成；漂移区位于漏区和沟道区之间；体区引出和源区一起接地；采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区，或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区；并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化；源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同。本发明对于任何标准工艺均有效，最大程度的降低了成本，拓展了标准工艺制备特殊器件的能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101257047A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103337.X
申请日：2008-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管，属于微电子半导体器件领域。该器件包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂区，并且，所述掺杂区的掺杂浓度要比漂移区的掺杂浓度高，所述掺杂区靠近体区，而所述绝缘介质区靠近漏区。由于在漂移区中同时引入绝缘介质区和掺杂区，有利于降低漂移区的有效深度，使电场更均匀，并且增大了漂移区的等效长度，本发明横向双扩散MOS晶体管器件的耐高电压特性好。
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公开(公告)号：CN101281245B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810113003.0
申请日：2008-05-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02D70/10
Abstract: 本发明公开了一种军民两用全球卫星导航系统多模射频接收方法及装置，属于射频通讯技术领域，该方法对于民用窄带信号，经过镜像抑制接收机，提出一种频率规划将不同的窄带信号互为镜像抑制接收机的镜像信号，在时分复用控制系统的控制下，周期性切换频率综合器输入射频混频器和基带混频器的本振频率及基带混频器的电流加减模式，实现窄带信号的多模并行接收；对于宽带信号，经过直接下变频接收机，选取射频混频器的本振频率与宽带GNSS中心频率一致，实现军用各宽带模式信号的接收；该装置包括镜像抑制接收机和直接下变频接收机两部分。本发明实现了军民两用的兼容性和协调性，还可以通过关闭军用或民用通路，实现低功耗运用需求。
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公开(公告)号：CN101266930B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810103871.0
申请日：2008-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管的制备领域，该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法，仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS，即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、源区、漏区、沟道区和漂移区，并定义栅区线条版；源区、栅区和漏区采用重掺杂注入版形成；漂移区位于漏区和沟道区之间；体区引出和源区一起接地；采用N阱的版图以形成N型LDMOS的低掺杂漂移区，或P阱的版图形成P型LDMOS的低掺杂漂移区；并采用硅化阻止版防止漂移区被硅化；源区、漏区和栅区设计和常规的MOS相同。本发明对于任何标准工艺均有效，最大程度的降低了成本，拓展了标准工艺制备特殊器件的能力。
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公开(公告)号：CN101281245A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810113003.0
申请日：2008-05-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02D70/10
Abstract: 本发明公开了一种军民两用全球卫星导航系统多模射频接收方法及装置，属于射频通讯技术领域，该方法对于民用窄带信号，经过镜像抑制接收机，提出一种频率规划将不同的窄带信号互为镜像抑制接收机的镜像信号，在时分复用控制系统的控制下，周期性切换频率综合器输入射频混频器和基带混频器的本振频率及基带混频器的电流加减模式，实现窄带信号的多模并行接收；对于宽带信号，经过直接下变频接收机，选取射频混频器的本振频率与宽带GNSS中心频率一致，实现军用各宽带模式信号的接收；该装置包括镜像抑制接收机和直接下变频接收机两部分。本发明实现了军民两用的兼容性和协调性，还可以通过关闭军用或民用通路，实现低功耗运用需求。
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公开(公告)号：CN101257304A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103338.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种双环路频率综合器及其粗调环路的调谐方法，属于无线收发机中的频率综合器技术领域。该频率综合器由粗调环路和细调环路组成，其中，粗调环路由分频频率计数器、参考频率计数器、移位器、比较器和有限状态机组成，分频频率计数器的输入端和细调环路的压控振荡器的分频信号Fdiv相连，所述移位器与分频频率计数器或参考频率计数器连接，用于将分频频率计数器或参考频率计数器的计数值左移n位，分频频率计数器和参考频率计数器的计数值分别输出给比较器，比较器的比较结果作为有限状态机的输入。本发明与传统结构相比，既缩小了粗调谐所需时间，又可以根据需要获得较高的调谐精度。
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