公开(公告)号：CN119069461A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410974555.X

申请日：2024-07-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杨宇东 ,  张驰

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 本申请提供一种用于混合键合微区应力的监测方法。该方法包括：提供两个基础芯片；分别在两个所述基础芯片的键合面上形成混合键合的金属介质结构；将所述金属介质结构中的金属结构制作成应力表征结构，得到两个目标基础芯片；将两个所述目标基础芯片进行混合键合，键合后监测应力表征结构的形变；根据所述应力表征结构的形变得到两个所述目标基础芯片混合键合微区的应力。本申请中，将用于混合键合的金属介质结构中的金属结构制作成了应力表征结构，在两目标芯片混合键合后，可以通过应力表征结构的形变来原位监测混合键合微区的应力，从而解决了混合键合微区应力难以原位在线监测的问题，可以实现混合键合微区应力变化的在线监测。

公开(公告)号：CN118969653A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410945124.0

申请日：2024-07-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  张驰 ,  杨宇东 ,  石上阳

IPC: H01L21/66

Abstract: 本申请提供一种用于混合键合微区应力表征的方法。该方法包括：提供两个基础芯片；分别在两个所述基础芯片的键合面上形成图形化的介质层，得到介质结构；在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，得到两个目标基础芯片；将两个所述目标基础芯片进行混合键合形成混合键合结构，观察该混合键合结构中应力表征物的形变；根据所述应力表征物的形变得到混合键合微区的应力。本申请中，在制作混合键合结构时将应力表征物制作在了其中，在两基础芯片混合键合后，可以通过应力表征物的形变来定量表征混合键合微区的应力，从而解决了混合键合微区应力难以准确定量表征的问题，可以实现混合键合微区应力变化的检测。