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公开(公告)号：CN112599708A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011482157.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种量子芯片集成钙钛矿电致脉冲光源及其制备方法。本发明将钙钛矿单光子发光二极管集成于量子芯片，所制备的光源展现了良好的性能，并具有制备工艺简单、实现成本低等优点，避免了现有技术制备单光子电致发光器件使用的苛刻条件，填补了钙钛矿用于片上集成量子芯片电致光源的空白。
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公开(公告)号：CN113193125B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202110422591.1
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率质量比的柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明采用化学气相沉积法及离子束抛光技术制备厚度小于5μm的帕利灵薄膜作为柔性基底，再在其上制备由金属网格和透明导电氧化物组成的透明导电功能层，以及钙钛矿太阳能电池的其他功能层，由此获得的柔性钙钛矿太阳能电池的光电转换效率可以超过20％，功率质量比可超过30W/g，弯折半径可小于1mm，弯折300个循环后电池性能衰减小于5％。本发明提供的高功率质量比的柔性钙钛矿太阳能电池具有质量小、柔性高、功率质量比非常高的特点，在航天航空等领域有很大的应用潜力，在智能设备、可穿戴设备等领域也有其独特优势。
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公开(公告)号：CN112599708B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202011482157.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种量子芯片集成钙钛矿电致脉冲光源及其制备方法。本发明将钙钛矿单光子发光二极管集成于量子芯片，所制备的光源展现了良好的性能，并具有制备工艺简单、实现成本低等优点，避免了现有技术制备单光子电致发光器件使用的苛刻条件，填补了钙钛矿用于片上集成量子芯片电致光源的空白。
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公开(公告)号：CN113193125A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110422591.1
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率质量比的柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明采用化学气相沉积法及离子束抛光技术制备厚度小于5μm的帕利灵薄膜作为柔性基底，再在其上制备由金属网格和透明导电氧化物组成的透明导电功能层，以及钙钛矿太阳能电池的其他功能层，由此获得的柔性钙钛矿太阳能电池的光电转换效率可以超过20％，功率质量比可超过30W/g，弯折半径可小于1mm，弯折300个循环后电池性能衰减小于5％。本发明提供的高功率质量比的柔性钙钛矿太阳能电池具有质量小、柔性高、功率质量比非常高的特点，在航天航空等领域有很大的应用潜力，在智能设备、可穿戴设备等领域也有其独特优势。
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公开(公告)号：CN213093225U
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202021940274.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种利用填充物抑制功能层分解的封装的钙钛矿光电器件。本实用新型包括：顶部填充层、表面密封层、顶部填充层和密封盖；本实用新型在阻绝外界环境对钙钛矿光电器件的影响的同时，能够抑制钙钛矿光电器件功能层的分解，从而极大地提升了器件稳定性；填补了从物理和化学两个维度入手进行钙钛矿光电器件封装的空白；本实用新型成功封装了钙钛矿光电器件和发光二极管器件，其稳定性或寿命比采用常规封装技术进行封装的同种类器件更优，证明了该方案在光电功能器件封装技术中的兼容性和优势；随着钙钛矿光电器件研究的进一步推进和深入，本实用新型在将来的钙钛矿器件封装中具有巨大潜力。
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