公开(公告)号：CN101872120B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010215355.4

申请日：2010-07-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 叶堉 ,  戴伦 ,  代宇 ,  秦国刚

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶连同其上的石墨烯剥离掉，得到器件所需的图形化的石墨烯。该方法相比现有技术，具有精确定位的优点，且无需刻蚀，不需要制作压印模版，从而成本较低。本发明不仅实现了精确定位地图形化石墨烯，而且很容易实现大面积器件集成。此外，利用曝光、剥离的方法，避免了氧等离子体刻蚀的步骤，从而避免了辐照损伤带来的器件性能的降低。

公开(公告)号：CN101872120A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010215355.4

申请日：2010-07-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 叶堉 ,  戴伦 ,  代宇 ,  秦国刚

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶连同其上的石墨烯剥离掉，得到器件所需的图形化的石墨烯。该方法相比现有技术，具有精确定位的优点，且无需刻蚀，不需要制作压印模版，从而成本较低。本发明不仅实现了精确定位地图形化石墨烯，而且很容易实现大面积器件集成。此外，利用曝光、剥离的方法，避免了氧等离子体刻蚀的步骤，从而避免了辐照损伤带来的器件性能的降低。