公开(公告)号：CN118401083A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410468481.2

申请日：2024-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  王豪捷 ,  吴俊慷 ,  杨鸿才 ,  付星宇

IPC: H10N30/076 ,  H10N30/85 ,  H10N30/00 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明公开了一种用于高带宽低成本滤波器的Al(Sc)N薄膜及其制备方法。选取C面SiC键合衬底，首先使用MOCVD生长N极性AlN层，然后在避免表层AlN形成含氧层的情况下，使用PVD生长N极性AlN或AlScN加厚层，获得高质量的单晶压电薄膜材料，应用于高带宽低成本滤波器。该方法使用键合衬底充分降低了衬底成本，先通过MOCVD在C面SiC键合衬底上生长AlN提供统一的极性取向和较好的晶格取向，然后通过PVD保持N极性生长，保证了整体薄膜的较好c轴取向，有效保证了压电常数d33不会因为c轴的反转带来的抵消，并由于PVD生长速度快的特点，进一步降低了成本。

公开(公告)号：CN116575123A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310599840.3

申请日：2023-05-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  吴俊慷 ,  张立胜 ,  陈正昊 ,  付星宇

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  C30B25/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法，首先在陶瓷衬底表面沉积填充材料，然后研磨抛光，获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并对其表面进行等离子体处理和/或原位NH3处理；最后生长单晶III族氮化物厚膜外延层。本发明不仅实现了在陶瓷衬底上外延生长单晶材料，还充分利用陶瓷衬底与III族氮化物热膨胀系数匹配的优点，实现了低热失配的高质量厚膜外延，并通过等离子体处理和/或原位NH3处理解决了二维材料表面难成核和外延层存在两种面内取向的问题。陶瓷衬底优异的热导率也为高压大电流大功率器件的应用提供了便利，基于成熟的产业链，还可以实现大尺寸、低成本的晶圆级制造。

公开(公告)号：CN119208369A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411321245.4

申请日：2024-09-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  郭富强 ,  唐宁 ,  陈正昊 ,  付星宇 ,  陈帅宇 ,  沈波

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种高可靠性栅控性能的增强型GaN基HEMT功率器件及制备方法，该器件包括衬底和其上的p‑GaN/Al(In,Ga)N/GaN异质结构，在栅极区域形成Tri‑Gate栅极结构，包括周期性平行排列的窄条状p‑GaN Fin岛，其长度方向平行于沟道方向，周期性排列方向垂直于沟道方向；p‑GaN Fin岛的侧壁淀积有栅介质形成MIS结构，顶部直接接触栅极金属形成欧姆接触。通过Fin岛顶部的欧姆接触实现栅极金属与p‑GaN区域电子空穴无障碍导通，使其电位不浮空，显著提升器件栅极阈值稳定性；栅宽方向形成类npn的超结结构，有效解决了栅极漏电问题，提升栅极的耐压能力，使栅压摆幅增大；顶部p‑GaN欧姆接触可以实现GIT电导调制，有效提高器件的输出电流能力，增大输出功率，推动GaN基功率电子器件的产业化进程。