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公开(公告)号：CN116835574A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310547327.X
申请日：2023-05-16
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C01B32/184 , C01B32/188 , C01B32/186 , B82Y40/00 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种通过气相沉积制备的C‑Ni薄膜热退火制备石墨烯的方法，方法包括步骤：通过磁控溅射在绝缘体或半导体上制备一层C掺杂Ni薄膜(C‑Ni薄膜)，对C‑Ni薄膜进行快速热退火处理，在薄膜C‑Ni薄膜上层或薄膜与基底界面处生成石墨烯，通过改变C‑Ni薄膜的制备条件以及退火条件，可以控制石墨烯的层数和质量。在绝缘体或半导体基底上直接制备石墨烯或掺杂石墨烯，可以避免其转移过程，可以避免对石墨烯引入杂质或褶皱等缺陷。
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