公开(公告)号：CN110783457A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911025147.5

申请日：2019-10-25

Applicant: 兰州大学

Inventor： 傅丽萍 ,  范小龙 ,  李颖弢 ,  吴泽伟 ,  宋小强 ,  李晓燕

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种利用重离子微孔膜改善阻变存储器一致性的实现方法，是将重离子微孔膜作为控制层嵌入阻变存储层和导电电极之间。在阻变存储器件发生电阻转变的过程中，对器件施加电压以后，在电场的作用下，活性金属电极发生氧化还原反应在阻变存储层中所形成金属导电细丝的形成与破灭时引起电阻转变的主要原因。由于导电细丝的形成与破灭是随机的，因此阻变参数具有很大的离散性，影响阻变存储器的一致性。

公开(公告)号：CN110783457B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201911025147.5

申请日：2019-10-25

Applicant: 兰州大学

Inventor： 傅丽萍 ,  范小龙 ,  李颖弢 ,  吴泽伟 ,  宋小强 ,  李晓燕

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种利用重离子微孔膜改善阻变存储器一致性的实现方法，是将重离子微孔膜作为控制层嵌入阻变存储层和导电电极之间。在阻变存储器件发生电阻转变的过程中，对器件施加电压以后，在电场的作用下，活性金属电极发生氧化还原反应在阻变存储层中所形成金属导电细丝的形成与破灭时引起电阻转变的主要原因。由于导电细丝的形成与破灭是随机的，因此阻变参数具有很大的离散性，影响阻变存储器的一致性。