公开(公告)号：CN1864245A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480028930.2

申请日：2004-09-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 金谷晃一 ,  西泽毅

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/06

Abstract: 在具备反应容器(11)、衬托器(20)、顶杆(13)、上侧加热装置(14a)、及下侧加热装置(14b)的气相成长装置中，对上侧加热机构和下侧加热机构的加热比率进行调整。能够控制形成于顶杆附近的硅外延层的表面形状、或产生在硅外延片的背面的凹凸部的形状。

公开(公告)号：CN109643670B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201780051581.3

申请日：2017-07-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  桥本浩昌 ,  西泽毅 ,  堀江启贵

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。

公开(公告)号：CN109643670A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051581.3

申请日：2017-07-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  桥本浩昌 ,  西泽毅 ,  堀江启贵

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。