公开(公告)号：CN105531821B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201480049853.2

申请日：2014-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  藤沢宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其具有通过离子注入剥离法来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序、以及实施薄膜的减厚加工的工序；所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，实施薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施薄膜的减厚加工的阶段，并且，在将要实施薄膜的减厚加工的工序前，具有清洗剥离面露出于表面的贴合晶圆的清洗工序，所述清洗工序包含将贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段，并且，在该湿式清洗的全部的清洗槽均在不施加超声波的情况下，实施清洗。由此，能够提供一种贴合晶圆的制造方法，该方法可依据管理等级严格的清洗线来清洗贴合晶圆，该贴合晶圆露出的剥离面上残留有离子注入所造成的损伤。

公开(公告)号：CN105531821A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480049853.2

申请日：2014-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  藤沢宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其具有通过离子注入剥离法来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序、以及实施薄膜的减厚加工的工序；所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，实施薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施薄膜的减厚加工的阶段，并且，在将要实施薄膜的减厚加工的工序前，具有清洗剥离面露出于表面的贴合晶圆的清洗工序，所述清洗工序包含将贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段，并且，在该湿式清洗的全部的清洗槽均在不施加超声波的情况下，实施清洗。由此，能够提供一种贴合晶圆的制造方法，该方法可依据管理等级严格的清洗线来清洗贴合晶圆，该贴合晶圆露出的剥离面上残留有离子注入所造成的损伤。