公开(公告)号：CN116034189A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180055465.5

申请日：2021-04-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  筱宮胜 ,  萩本和德 ,  久保埜一平

IPC: C30B25/18

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其中，将电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度小于1×1017原子/cm3、厚度为1000μm以上的硅单晶基板用作所述硅单晶基板，通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在该硅单晶基板上。由此，能够提供一种即便基板是作为高频器件的支撑基板而有前景的高电阻率且超低氧浓度的硅单晶基板，也抑制了塑性变形及翘曲的氮化物半导体晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN115997271A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202180045965.0

申请日：2021-07-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  筱宮胜 ,  菅原孝世

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体晶圆，其为在单晶硅基板上具有由氮化物半导体构成的器件层的氮化物半导体晶圆，其中，所述单晶硅基板为CZ单晶硅基板，其电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度为5.0×1016原子/cm3(JEIDA)以上2.0×1017原子/cm3(JEIDA)以下、氮浓度为5.0×1014原子/cm3以上。由此，提供一种即便使用适合用于高频器件的通过CZ法制造的高电阻低氧单晶硅基板，也不易发生塑性变形，且基板的翘曲较小的氮化物半导体晶圆。