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公开(公告)号：CN109690733A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055519.1
申请日：2017-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为具有对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆在氩氛围下实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤，其中于通过批次式热处理炉而进行在该氩氛围下的热处理时，于收纳在该批次式热处理炉内的相邻的该贴合式SOI晶圆之间，配置硅晶圆作为挡片而进行热处理的贴合式SOI晶圆的制造方法。由此提供在通过批次式热处理炉且在氩氛围下对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤之中，能抑制LPD的增加的SOI晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN109690733B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201780055519.1
申请日：2017-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为具有对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆在氩氛围下实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤，其中于通过批次式热处理炉而进行在该氩氛围下的热处理时，于收纳在该批次式热处理炉内的相邻的该贴合式SOI晶圆之间，配置硅晶圆作为挡片而进行热处理的贴合式SOI晶圆的制造方法。由此提供在通过批次式热处理炉且在氩氛围下对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤之中，能抑制LPD的增加的SOI晶圆的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112204B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201680004325.4
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，包含下列步骤，将多晶硅层堆积于基底晶圆的贴合面侧，研磨多晶硅层的表面，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中于堆积多晶硅层的步骤中，作为基底晶圆使用具有化学蚀刻面的晶圆，于化学蚀刻面进行一次研磨后，于经一次研磨的面堆积多晶硅层，于研磨多晶硅层表面的步骤中，于多晶硅层表面进行二次研磨，或进行二次研磨及精研磨。
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公开(公告)号：CN111180317B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201911075806.6
申请日：2019-11-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/18 , H01L21/762
Abstract: 提供一种利用基础氧化法进行的贴合SOI晶圆的制造方法，其能够抑制滑移位错的发生并抑制基础晶圆的氧析出物的形成。该贴合SOI晶圆的制造方法的特征在于，具有：准备初始间隙氧浓度在15ppma(’79ASTM)以上的单晶硅晶圆作为基础晶圆的工序；当通过对所述基础晶圆在氧化性气氛下实施热处理而在所述基础晶圆的表面形成硅氧化膜时，将所述基础晶圆向进行所述热处理的热处理炉的投入温度设为800℃以上，并以该投入温度以上的温度来进行所述基础晶圆的所述热处理而形成硅氧化膜的工序；经由所述硅氧化膜使所述基础晶圆与接合晶圆贴合的工序；使贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层的工序。
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公开(公告)号：CN118414455A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280079606.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是由晶面方位为{111}的第一单晶硅基板与晶面方位为{100}的第二单晶硅基板经由氧化膜结合而成的基板，所述第一基板在 方向上形成有缺口，所述第二基板在 方向或 方向上形成有缺口，所述第一基板的 方向与所述第二基板的 方向在‑15°～15°的角度范围内结合，在所述结合基板的所述第一基板的表面上形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种破坏强度较高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体，并且抑制滑移、破裂等的发生。
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公开(公告)号：CN111180317A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911075806.6
申请日：2019-11-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/18 , H01L21/762
Abstract: 提供一种利用基础氧化法进行的贴合SOI晶圆的制造方法，其能够抑制滑移位错的发生并抑制基础晶圆的氧析出物的形成。该贴合SOI晶圆的制造方法的特征在于，具有：准备初始间隙氧浓度在15ppma(’79ASTM)以上的单晶硅晶圆作为基础晶圆的工序；当通过对所述基础晶圆在氧化性气氛下实施热处理而在所述基础晶圆的表面形成硅氧化膜时，将所述基础晶圆向进行所述热处理的热处理炉的投入温度设为800℃以上，并以该投入温度以上的温度来进行所述基础晶圆的所述热处理而形成硅氧化膜的工序；经由所述硅氧化膜使所述基础晶圆与接合晶圆贴合的工序；使贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层的工序。
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公开(公告)号：CN107112204A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004325.4
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，包含下列步骤，将多晶硅层堆积于基底晶圆的贴合面侧，研磨多晶硅层的表面，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中于堆积多晶硅层的步骤中，作为基底晶圆使用具有化学蚀刻面的晶圆，于化学蚀刻面进行一次研磨后，于经一次研磨的面堆积多晶硅层，于研磨多晶硅层表面的步骤中，于多晶硅层表面进行二次研磨，或进行二次研磨及精研磨。
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