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公开(公告)号：CN111868311A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980019480.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其中，使碳化硅原材料于生长容器内升华，从而使碳化硅单晶在晶种基板上生长，所述制造方法的特征在于，作为所述晶种基板，使用设置于所述生长容器的面为偏移角1°以下的{0001}面、且晶体生长面为凸形状的生长晶锭端面的基板，并将所述晶种基板的直径设为所述生长容器的内径的80％以上。由此，提供一种碳化硅单晶的制造方法，该制造方法能够制造即使进行没有偏移角的生长、即在自C轴＜0001＞没有倾斜的基面上的生长方向上，也不易产生不同的多型，且直体率高的碳化硅单晶。
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