公开(公告)号：CN111095487B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880060125.X

申请日：2018-07-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 岩本亮辅 ,  大西理

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种外延晶片的制造方法，准备背面经研磨的硅半导体基板，将所准备的基板洗净后，将多片基板作为1批次放入到基板保管部2。使基板保管部2的气氛中的NO2和NO3的合计浓度为140 ng/m3以下的方式进行管理。将保管于基板保管部2中的基板逐片搬送到反应炉5而使硅外延层气相生长。因此，能够抑制依存于自基板洗净后经过时间的背面晕圈的产生，制造高品质的外延晶片。

公开(公告)号：CN111095487A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880060125.X

申请日：2018-07-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 岩本亮辅 ,  大西理

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种外延晶片的制造方法，准备背面经研磨的硅半导体基板，将所准备的基板洗净后，将多片基板作为1批次放入到基板保管部2。使基板保管部2的气氛中的NO2和NO3的合计浓度为140 ng/m3以下的方式进行管理。将保管于基板保管部2中的基板逐片搬送到反应炉5而使硅外延层气相生长。因此，能够抑制依存于自基板洗净后经过时间的背面晕圈的产生，制造高品质的外延晶片。