公开(公告)号：CN100454552C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN02802464.8

申请日：2002-07-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  富泽进一 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。由此提供一种贴合晶片的制造方法，能在维持利用离子注入剥离法制造的贴合晶片的薄膜的膜厚均一性的同时，确实除去表面的损伤或缺陷，且能充分适用于量产技术。

公开(公告)号：CN1592970A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN02823371.9

申请日：2002-11-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 中野正刚 ,  富泽进一 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是将硅单晶所构成的接合晶片31与衬底晶片32通过氧化膜33进行贴合后、对接合晶片31实施减厚加工以制造贴合晶片39的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片31及衬底晶片32，即可减少接合热处理后的未结合区域UA。改良化学腐蚀晶片是这样制成，它在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。这样，在贴合晶片的制造中，可减少接合晶片与衬底晶片的未结合区域。

公开(公告)号：CN1326247C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN02823371.9

申请日：2002-11-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 中野正刚 ,  富泽进一 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是将硅单晶所构成的接合晶片31与衬底晶片32通过氧化膜33进行贴合后、对接合晶片31实施减厚加工以制造贴合晶片39的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片31及衬底晶片32，即可减少接合热处理后的未结合区域UA。改良化学腐蚀晶片是这样制成，它在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。这样，在贴合晶片的制造中，可减少接合晶片与衬底晶片的未结合区域。

公开(公告)号：CN1465104A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802464.8

申请日：2002-07-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  富泽进一 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。由此提供一种贴合晶片的制造方法，能在维持利用离子注入剥离法制造的贴合晶片的薄膜的膜厚均一性的同时，确实除去表面的损伤或缺陷，且能充分适用于量产技术。