公开(公告)号：CN100530700C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200480012530.2

申请日：2004-03-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高桥正俊 ,  大塚宽之 ,  松村英树 ,  增田淳 ,  和泉亮

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在太阳能电池(100)中，具有半导体太阳能电池衬底(66)，在该半导体太阳能电池衬底(66)中，其第1主表面上形成感光面，并且基于照射到该感光面的光，产生光电动势，上述半导体太阳能电池衬底(66)的感光面被感光面侧绝缘膜(61)覆盖，该感光面侧绝缘膜(61)是由阳离子成分的主体为硅的无机绝缘材料形成的，该感光面侧绝缘膜(61)由氧含量原子百分比小于10%的低氢含量的无机绝缘膜构成。由此，提供具有钝化效果优良，并且避免钝化效果伴随时间而变差的绝缘膜的太阳能电池。

公开(公告)号：CN1784789A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012530.2

申请日：2004-03-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社 ,  国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学

Inventor： 高桥正俊 ,  大塚宽之 ,  松村英树 ,  增田淳 ,  和泉亮

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在太阳能电池(100)中，具有半导体太阳能电池衬底(66)，在该半导体太阳能电池衬底(66)中，其第1主表面上形成感光面，并且基于照射到该感光面的光，产生光电动势，上述半导体太阳能电池衬底(66)的感光面被感光面侧绝缘膜(61)覆盖，该感光面侧绝缘膜(61)是由阳离子成分的主体为硅的无机绝缘材料形成的，该感光面侧绝缘膜(61)由氧含量原子百分比小于10％的低氢含量的无机绝缘膜构成。由此，提供具有钝化效果优良，并且避免钝化效果伴随时间而变差的绝缘膜的太阳能电池。