公开(公告)号：CN110875573A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910807121.X

申请日：2019-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  住友隆道 ,  有方卓

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S5/187

Abstract: 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器，包括：有源层，其包括量子阱结构，量子阱结构包括一个或多个阱层，阱层包括含有铟来作为III族构成元素的III-V化合物半导体；上层叠区域，其含有碳掺杂剂；以及基板，其用于安装包括有源层和上层叠区域的柱体，其中，有源层设置在上层叠区域与基板之间，量子阱结构的碳浓度为2×1016cm-3以下，并且上层叠区域包括在远离有源层的位置处的铟堆积层。

公开(公告)号：CN110875573B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN201910807121.X

申请日：2019-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  住友隆道 ,  有方卓

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S5/187

Abstract: 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器，包括：有源层，其包括量子阱结构，量子阱结构包括一个或多个阱层，阱层包括含有铟来作为III族构成元素的III‑V化合物半导体；上层叠区域，其含有碳掺杂剂；以及基板，其用于安装包括有源层和上层叠区域的柱体，其中，有源层设置在上层叠区域与基板之间，量子阱结构的碳浓度为2×1016cm‑3以下，并且上层叠区域包括在远离有源层的位置处的铟堆积层。

公开(公告)号：CN105206692A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510337330.4

申请日：2015-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  有方卓 ,  秋田胜史

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/101 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/035263 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。作为该半导体器件的红外光电二极管包括衬底、由GaSb形成的缓冲层和包括多量子阱结构的吸收层。该多量子阱结构包括单元结构的堆叠，每个单元结构都包括多个组分层。单元结构中的每一个包括：由InAs1-aSba形成的第一组分层，其中比率a为0或更大且0.05或更小；由GaSb形成的第二组分层；和由InSbxAs1-x形成的第三组分层，其中比率x为大于0且小于1。第三组分层被设置成与第二组分层的一个主表面接触。第二组分层的另一个主表面与单元结构内的第一组分层接触。第三组分层具有0.1nm或更大且0.9nm或更小的厚度。