公开(公告)号：CN102859720A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019969.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大前智史 ,  阿部真一 ,  福留正人 ,  大隈丈司 ,  白泽胜彦 ,  西村刚太 ,  丰田大介 ,  佐野浩孝 ,  黑须敬太

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 在缓冲层上进一步层叠窗层等情况下，耐湿性、耐等离子体性变差，因此在形成了窗层时，缓冲层及光吸收层容易受到损伤，从可靠性的观点考虑，变得不能满足转换效率。本发明提供一种光电转换元件，具有：设置于下部电极层上的、含有IB族元素、IIIB族元素及VIB族元素的光吸收层；设置于该光吸收层上的、含有IIIB族元素及VIB族元素的第一半导体层；设置于该第一半导体层上的、含有IIB族元素的氧化物的第二半导体层，所述光吸收层在所述第一半导体层侧具有含有IIB族元素的掺杂层区域。