-
公开(公告)号:CN113258242A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110688554.5
申请日:2021-06-22
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于变压器的八路正交功率合成器,包括一个正交耦合器,所述正交耦合器上下对称连接有两个结构相同的平衡功率合成器;所述平衡功率合成器包括次级线圈、匝数相同的第一初级线圈和第二初级线圈,所述次级线圈以对称互绕形式嵌套设于所述第一初级线圈和第二初级线圈中,所述第一初级线圈和所述第二初级线圈的断点处两端聚拢并分别布置于远离所述正交耦合器方向的左右两对角处,本发明提供一种基于变压器的八路正交功率合成器,包括三个变压器结构:两个相同的基于变压器的平衡功率合成器和一个基于变压器的正交耦合器,用于高线性、高功率合成的高频功率放大器。
-
公开(公告)号:CN115411483B
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211360726.7
申请日:2022-11-02
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于集成无源器件技术的双模正交功率合成器,包括正交耦合器和平衡功率合成器,用于高效率,高线性的高频功率放大器的功率合成。本发明基于集成无源器件技术片上集成正交耦合器和平衡功率合成器,利用硅基工艺多层金属结构,实现正交信号的合成、移相和阻抗变换,具有尺寸小,插损低的特征。采用本发明可以使功率放大器具有高功率,高PAE输出的同时,还可以有效保障功率放大器的线性。功率合成器隐含移相和功率合成结构,具有各自独立的阻抗匹配网络和相移路径,可以在不牺牲线性的情况下,显著改善功率附加效率。
-
公开(公告)号:CN115411483A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202211360726.7
申请日:2022-11-02
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于集成无源器件技术的双模正交功率合成器,包括正交耦合器和平衡功率合成器,用于高效率,高线性的高频功率放大器的功率合成。本发明基于集成无源器件技术片上集成正交耦合器和平衡功率合成器,利用硅基工艺多层金属结构,实现正交信号的合成、移相和阻抗变换,具有尺寸小,插损低的特征。采用本发明可以使功率放大器具有高功率,高PAE输出的同时,还可以有效保障功率放大器的线性。功率合成器隐含移相和功率合成结构,具有各自独立的阻抗匹配网络和相移路径,可以在不牺牲线性的情况下,显著改善功率附加效率。
-
公开(公告)号:CN114243257A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202210183297.4
申请日:2022-02-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q7/00 , H01Q19/10 , H01Q21/00 , H01Q21/06
Abstract: 本发明公开了一种硅基工艺的高增益高效率片上天线,包括硅衬底,所述硅衬底上依次设有九层金属层,所述第九层金属层上设有二行二列的阵列天线,所述阵列天线包括四个环形天线单元、T型功分器和共面波导馈电端,四个所述环形天线单元和所述共面波导馈电端通过所述T型功分器连接,所述环形天线单元包括同轴设置的外开口谐振环和内开口谐振环,所述阵列天线下方的第一层金属层上设有人工磁导体层,本发明提供一种硅基工艺的高增益高效率片上天线,包括一个位于M9层的二行二列的阵列天线和M1层的人工磁导体层;所述人工磁导体层具有同向反射特性,在60GHz处的反射相位为0°,同相反射相位带隙为53.1GHz~67.7GHz,完全覆盖了60GHz附近的免许可带宽范围。
-
公开(公告)号:CN113258242B
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202110688554.5
申请日:2021-06-22
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于变压器的八路正交功率合成器,包括一个正交耦合器,所述正交耦合器上下对称连接有两个结构相同的平衡功率合成器;所述平衡功率合成器包括次级线圈、匝数相同的第一初级线圈和第二初级线圈,所述次级线圈以对称互绕形式嵌套设于所述第一初级线圈和第二初级线圈中,所述第一初级线圈和所述第二初级线圈的断点处两端聚拢并分别布置于远离所述正交耦合器方向的左右两对角处,本发明提供一种基于变压器的八路正交功率合成器,包括三个变压器结构:两个相同的基于变压器的平衡功率合成器和一个基于变压器的正交耦合器,用于高线性、高功率合成的高频功率放大器。
-
-
-
-