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公开(公告)号：CN115763406B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202211423969.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 之江实验室 , 中国科学院计算技术研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种带歧管微通道的嵌入式冷却芯片，包括底座基板和歧管基板，所述底座基板和歧管基板两者间相互键合，所述底座基板内具有多个阵列排布的环形鳍片，所述环形鳍片为由底座基板的底面向上凸起的内部中空的圆柱体，其内环形成第一通孔；所述歧管基板上具有多个上下贯穿的第二通孔，歧管基板的第二通孔与底座基板的第一通孔一一对准，所述歧管基板上具有多个并行的冷却液出入通道。本发明采用并行的歧管式结构，使芯片上冷却液分布更均匀；利用通孔形成环形鳍片结构，无需额外设计换热通道、增加芯片高度；通孔贯穿芯片，内部可填充导电金属，实现堆叠芯片的电路连接。
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公开(公告)号：CN116403981A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310414672.6
申请日：2023-04-18
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , B33Y10/00 , B33Y80/00
Abstract: 本发明公开一种散热一体式芯片，包括基板、合金导热部件和散热片，其中，在基板的一面通过刻蚀形成有源器件，基板的另一面与合金导热部件通过键合固定连接，且合金导热部件阵列排布在基板的另一面，合金导热部件远离基板的一侧与散热片通过键合固定连接。该散热一体式芯片具有较高的传热效率，进而能够满足芯片较高的温度需求，且在热传递过程中，减少了散热片和芯片间的应力，从而维持了散热片和芯片的紧密接触。本发明还公开了散热一体式芯片的制备方法。
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公开(公告)号：CN115763405A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211421037.2
申请日：2022-11-15
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种带嵌入式微通道冷却结构的3D堆叠芯片，包括基板，基板上具有壳体，壳体上具有冷却液入口和冷却液出口，壳体内具有芯片组，芯片组由多个芯片堆叠而成，冷却液由冷却液入口进入，经过芯片组后从冷却液出口流出。本发明采用并行的歧管式结构，使芯片上冷却液分布更均匀；利用通孔形成环形鳍片结构，无需额外设计换热通道、增加芯片高度；通孔贯穿芯片，内部可填充导电金属，实现堆叠芯片的电路连接。本发明基于硅通孔的结构布局微通道，最大程度地增加微通道数量；利用歧管结构使冷却液均匀分布，实现高效率换热。
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公开(公告)号：CN116247019A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310088592.6
申请日：2023-01-16
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/467 , H01L23/367
Abstract: 本申请涉及高功率密度芯片嵌入式冷却技术领域，特别是涉及一种双面式芯片组。双面式芯片组包括第一基板，中间基板，第二基板。第一基板上加工有第一芯片；第二基板上加工有第二芯片，中间基板开设有入流口、出流口、入流通道以及出流通道，冷却介质从入流口通入入流通道，然后直接流入第一换热腔和第二换热腔进行换热，升温后的冷却介质在出流通道汇流，汇流后的冷却介质再从出流口排出，本申请通过对第一基板和第二基板以及中间基板的加工，在其本体上形成冷却通道，无需额外的冷却管路，且第一芯片以及第二芯片贴合各自所在的基板，使得整个双面式芯片组具有较高的换热效率，因此大大提升了芯片的散热能力。
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公开(公告)号：CN113911400B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111286280.3
申请日：2021-11-02
Applicant: 之江实验室
Inventor： 徐璐
Abstract: 本发明涉及卫星热控技术领域，尤其涉及一种微纳卫星系统的储热装置，包括卫星侧板和卫星底板构成的外壳体，以及设置在外壳体内的气缸、活塞、储热仓、弹簧、隔热板；所述活塞设置在气缸内，组成密闭空间，内填充气体，所述活塞沿所述气缸壁上下移动；所述活塞呈倒T型，活塞的颈部端与储热仓固定连接；所述卫星侧板内嵌有第一导热单元；所述卫星底板内嵌有第二导热单元，所述第二导热单元与所述气缸底部连接；所述隔热板固定安装在储热仓上两侧，滑动贴靠于卫星侧板的内壁；所述弹簧两端分别连接所述卫星底板和所述储热仓。本发明减弱星内的温度变化，不需要另外供能，节省能源消耗，保证星内系统低温环境正常运作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113911400A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111286280.3
申请日：2021-11-02
Applicant: 之江实验室
Inventor： 徐璐
Abstract: 本发明涉及卫星热控技术领域，尤其涉及一种微纳卫星系统的储热装置，包括卫星侧板和卫星底板构成的外壳体，以及设置在外壳体内的气缸、活塞、储热仓、弹簧、隔热板；所述活塞设置在气缸内，组成密闭空间，内填充气体，所述活塞沿所述气缸壁上下移动；所述活塞呈倒T型，活塞的颈部端与储热仓固定连接；所述卫星侧板内嵌有第一导热单元；所述卫星底板内嵌有第二导热单元，所述第二导热单元与所述气缸底部连接；所述隔热板固定安装在储热仓上两侧，滑动贴靠于卫星侧板的内壁；所述弹簧两端分别连接所述卫星底板和所述储热仓。本发明减弱星内的温度变化，不需要另外供能，节省能源消耗，保证星内系统低温环境正常运作。
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公开(公告)号：CN116469856A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310731637.7
申请日：2023-06-20
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种带歧管微通道结构的冷却芯片和冷却方法，包括有机基板，所述有机基板上设置有转接板；所述转接板上设置有歧管盖板；所述歧管盖板和转接板之间形成空腔；所述空腔内，在转接板上设置有芯片组，所述芯片组上设置有微通道；所述歧管盖板设置有冷却液进口、冷却液出口、若干个进口分液歧管和若干个出口分液歧管；所述冷却液进口与所述若干个进口分液歧管连通；所述冷却液出口与所述若干个出口分液歧管连通；所述歧管盖板与芯片组和微通道之间形成若干个两相通路。本发明在两相通路中完成相变吸热过程直接带走芯片散发热量，并可以通过改变微通道的结构形状与微通道的疏密程度实现调节散热量的大小。
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公开(公告)号：CN115061550A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210697281.5
申请日：2022-06-20
Applicant: 之江实验室 , 中国科学院计算技术研究所
IPC: G06F1/20
Abstract: 本发明属于服务器和数据中心液冷散热领域，公开了一种基于热电制冷器的分布式热管理装置和控制方法，包括底座、热电制冷器、第一冷板、第二冷板、总入口、总出口和管道；所述底座平放于监测目标上，所述热电制冷器和第一冷板并排平放于底座上，所述第二冷板叠放于热电制冷器上，所述热电制冷器的冷端朝向底座、热端朝向第二冷板，所述管道用于总入口、第一冷板、第二冷板和总出口之间的相互连接，冷却液从总入口进入装置、从总出口离开装置，所述管道上具有多个电动阀门用于控制冷却液的流向。本发明通过控制电动阀门实现两块冷板的串并联切换，避免热电制冷器工作时热端产生的热量反向传导给处理器，提高了制冷效率。
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公开(公告)号：CN115763405B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202211421037.2
申请日：2022-11-15
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种带嵌入式微通道冷却结构的3D堆叠芯片，包括基板，基板上具有壳体，壳体上具有冷却液入口和冷却液出口，壳体内具有芯片组，芯片组由多个芯片堆叠而成，冷却液由冷却液入口进入，经过芯片组后从冷却液出口流出。本发明采用并行的歧管式结构，使芯片上冷却液分布更均匀；利用通孔形成环形鳍片结构，无需额外设计换热通道、增加芯片高度；通孔贯穿芯片，内部可填充导电金属，实现堆叠芯片的电路连接。本发明基于硅通孔的结构布局微通道，最大程度地增加微通道数量；利用歧管结构使冷却液均匀分布，实现高效率换热。
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公开(公告)号：CN115763406A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211423969.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 之江实验室 , 中国科学院计算技术研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种带歧管微通道的嵌入式冷却芯片，包括底座基板和歧管基板，所述底座基板和歧管基板两者间相互键合，所述底座基板内具有多个阵列排布的环形鳍片，所述环形鳍片为由底座基板的底面向上凸起的内部中空的圆柱体，其内环形成第一通孔；所述歧管基板上具有多个上下贯穿的第二通孔，歧管基板的第二通孔与底座基板的第一通孔一一对准，所述歧管基板上具有多个并行的冷却液出入通道。本发明采用并行的歧管式结构，使芯片上冷却液分布更均匀；利用通孔形成环形鳍片结构，无需额外设计换热通道、增加芯片高度；通孔贯穿芯片，内部可填充导电金属，实现堆叠芯片的电路连接。
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