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公开(公告)号：CN115763480A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211294670.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L27/092 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种基于超高迁移率场效应晶体管的低功耗CMOS电路，所述低功耗CMOS电路由超高空穴迁移率场效应晶体管和超高电子迁移率场效应晶体管串联组成；所述超高空穴迁移率场效应晶体管的衬底采用n型高迁移率沟道材料；所述超高电子迁移率场效应晶体管的衬底采用p型高迁移率沟道材料。超高迁移率场效应晶体管由其迁移率调制实现，所述迁移率调制是基于可移动带正电氧空位受电场调控形成的偶极子作用，本发明基于超高电子和空位迁移率的场效应晶体管，极大提升器件性能，减小操作电压，实现低功耗的CMOS电路，这可用于数字电路集成芯片。
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