公开(公告)号：CN1983555B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610162260.4

申请日：2006-12-13

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 池本由平 ,  平田宏治 ,  青木和夫 ,  金子由基夫 ,  氏家建和

IPC: H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/04

Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。

公开(公告)号：CN1983555A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610162260.4

申请日：2006-12-13

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 池本由平 ,  平田宏治 ,  青木和夫 ,  金子由基夫 ,  氏家建和

IPC: H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/04

Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。

公开(公告)号：CN1841800A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067005.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 牛田泰久 ,  筱田大辅 ,  山崎大辅 ,  平田宏治 ,  池本由平 ,  柴田直树 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 ,  岛村清史

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。

公开(公告)号：CN100452463C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610167238.9

申请日：2006-12-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 池本由平 ,  平田宏治 ,  青木和夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。

公开(公告)号：CN1983653A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610167238.9

申请日：2006-12-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 池本由平 ,  平田宏治 ,  青木和夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光元件，包含：氧化镓衬底，在其正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和衬底保护层，其形成在所述氧化镓衬底的背面上。一种制造发光元件的方法，包括以下步骤：在氧化镓衬底的背面上形成衬底保护层；在氧化镓衬底的正面上生长包括发光元件部分的半导体材料晶体；和组装发光元件，以形成用于发光元件部分的电连接。

公开(公告)号：CN100461475C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610067005.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 牛田泰久 ,  筱田大辅 ,  山崎大辅 ,  平田宏治 ,  池本由平 ,  柴田直树 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 ,  岛村清史

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。