公开(公告)号：CN102694101A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210073046.7

申请日：2012-03-19

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 户谷真悟 ,  矢羽田孝辅 ,  石黑雄也

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极，并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构，反射膜位于等电位区域中，由此防止迁移。

公开(公告)号：CN104752414A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410826580.X

申请日：2014-12-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 石黑雄也 ,  矢羽田孝辅 ,  荒添直棋 ,  松谷哲也

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种呈现出高的每单位面积亮度的发光部件和发光装置以及其简化的制造方法。发光单元包括单个基底衬底和在该单个基底衬底上的多个发光器件。发光单元包括使发光器件中的至少一部分发光器件串联地连接的串联连接体。串联连接体包括：形成电流路径的发光器件；不形成电流路径的发光器件；以及将发光器件的n电极与p电极电连接的连接构件。

公开(公告)号：CN102694101B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210073046.7

申请日：2012-03-19

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 户谷真悟 ,  矢羽田孝辅 ,  石黑雄也

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极，并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构，反射膜位于等电位区域中，由此防止迁移。

公开(公告)号：CN102738338B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210086807.2

申请日：2012-03-28

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢羽田孝辅 ,  中条直树 ,  五所野尾浩一 ,  石黑雄也

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件表现出沿着特定方向的高强度的光输出量以及改进的光提取性能。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；和层状结构，该层状结构具有设置在所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的发光层。在所述蓝宝石衬底的层状结构侧的表面上，以一定周期形成凸起的二维周期性结构，所述周期性结构对于从所述发光层发射出的光生成光强度干涉图案。由所述二维周期性结构反射或透射的光具有干涉图案。因此，在所述干涉图案中光强度高区域会聚的光可以被高效地输出到外部，从而导致光提取性能的改进并实现了期望的方向特性。

公开(公告)号：CN102738338A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210086807.2

申请日：2012-03-28

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢羽田孝辅 ,  中条直树 ,  五所野尾浩一 ,  石黑雄也

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件表现出沿着特定方向的高强度的光输出量以及改进的光提取性能。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；和层状结构，该层状结构具有设置在所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的发光层。在所述蓝宝石衬底的层状结构侧的表面上，以一定周期形成凸起的二维周期性结构，所述周期性结构对于从所述发光层发射出的光生成光强度干涉图案。由所述二维周期性结构反射或透射的光具有干涉图案。因此，在所述干涉图案中光强度高区域会聚的光可以被高效地输出到外部，从而导致光提取性能的改进并实现了期望的方向特性。