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公开(公告)号：CN105390579B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510523200.X
申请日：2015-08-24
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 牧野浩明
Abstract: 本发明提供半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法。即便为了提高半导体发光元件的光取出效率而在基板的背面侧采用比较大的凹凸，仍能容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域。半导体发光元件晶片由具有第1面和作为与其相反侧的面的第2面的基板、形成于该第1面的半导体发光元件层构成。在半导体发光元件晶片形成多个半导体发光元件基体，该半导体发光元件基体在相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部具有分离区域。在基板的第2面中，不与分离区域相当的部分为粗糙面部，与分离区域相当的部分相比不与分离区域相当的部分平坦，并形成切断起点部。
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公开(公告)号：CN118367076A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410041406.8
申请日：2024-01-11
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供适合于发射紫外光的具有保护膜的由III族氮化物半导体构成的发光元件。一种发光波长为200～280nm且由包含Al的III族氮化物半导体构成的发光元件，具有：p侧电极15，其接触地设置于p型层14上，具有Ru层；n侧电极16，其设置于在孔23的底面露出的n型层11上；以及保护膜18，其覆盖整个元件上表面，是依次层叠有由SiO2构成的第一保护膜18A和由SiN构成的第二保护膜18B的结构。
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公开(公告)号：CN116264262A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211605540.3
申请日：2022-12-14
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供了一种抑制由热处理引起的电性能变差的发光元件的制造方法。一种发光元件的制造方法，所述发光元件由III族氮化物半导体构成，是n层(11)、发光层(12)、p层(13)依次层叠而成，其中，n层(11)中Al组成比为60％以上、Si浓度为5×1018/cm3～5×1019/cm3，p层(13)中Al组成比小于60％、Mg浓度为1×1019/cm3以上。该发光元件的制造方法具有：p电极形成工序，接于p层(13)上而形成p电极(16)；n电极形成工序，接于n层(11)上而形成n电极，所述n电极具有：厚度为5nm～15nm的由V构成的V层和接于V层上的由Al构成的Al层的n电极(17)；热处理工序，在500℃～650℃范围内的任意温度下进行热处理。
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公开(公告)号：CN119967963A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411575568.6
申请日：2024-11-06
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/831
Abstract: 提供实现光输出的提高和正向电压的减少的正面朝上型且紫外发光的发光元件。在正面朝上型且发光波长为210nm～300nm且使用了III族氮化物半导体的发光元件中，具备：n型层(11)、设置在n型层之上的活性层(12)、设置在活性层之上的p型层(13)、设置在n型层之上的梳齿状的n侧电极(17)、在p型层之上与该p型层接触地设置且使发光波长的光透过的p侧接触电极(14)、以及设置在p侧接触电极之上的梳齿状的p侧电极(15)，p侧电极具备沿预定方向延伸的多个p侧延伸部(15A)，n侧电极具备沿预定方向延伸且配置于相邻的p侧延伸部之间的多个n侧延伸部(17A)，p侧延伸部与n侧延伸部之间的距离为140μm以下。
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公开(公告)号：CN119677257A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411127986.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/832 , H10H20/841 , H10H20/01
Abstract: 提供能够供p侧电极欧姆接触并且能够提高紫外线反射率的发光元件及其制造方法。倒装型且紫外发光的发光元件具有：n型层，其由n型的III族氮化物半导体构成；活性层，其设置在n型层上且由III族氮化物半导体构成；p型层，其设置在活性层之上且由p型的III族氮化物半导体构成；p侧电极，其设置在p型层之上，包含由Ru、Rh或以它们为主成分的合金构成且与p型层接触的层，并且设定为使发光波长的紫外光透过的厚度；绝缘性的DBR层，其与p侧电极的局部接触并设置于p侧电极的局部之上，且反射发光波长的紫外光；以及第二p侧电极，其经由在DBR层中p侧电极之上的区域形成的孔而与p侧电极电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118507620A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410168791.2
申请日：2024-02-06
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 提供防止保护膜的剥离、裂缝的UVC的发光元件及其制造方法。发光元件由发光波长为200nm以上且280nm以下的III族氮化物半导体构成，具有：基板；防反射膜，其设置于基板背面；半导体层，其是在基板表面上依次层叠n层、发光层、p层而成的；孔，其设置于p层表面的预定的区域，且深度达到n层；第一p电极，其与p层相接地设置在p层之上；第一n电极，其设置于在孔的底面暴露的n层之上；第二p电极和第二n电极，其分别设置在第一p电极之上和第一n电极之上；以及保护膜，其覆盖元件上表面整体，且由绝缘材料构成，保护膜具有：第一保护膜，其由绝缘材料形成；以及第二保护膜，其形成在第一保护膜上，并由具有内部应力与第一保护膜不同的绝缘材料形成。
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公开(公告)号：CN119855321A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411429564.7
申请日：2024-10-14
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/824 , H10H20/841 , H10H20/831
Abstract: 提供提高了光输出和寿命的发光元件和发光装置。在使用包含Al的III族氮化物半导体且具有200nm～280nm的发光波长的发光元件(1)中，具有：基板(10)；半导体层，其在基板(10)之上依次层叠有n型层(11)、发光层(12)、p型层(14)；孔(23)，其设置于p型层(14)表面的预定区域，且具有到达n型层(11)的深度；p侧电极(15)，其在p型层(14)之上与该p型层(14)接触地设置，且发光波长的紫外光的反射率为50％以上；以及n侧电极(16)，其设置于在孔(23)的底面暴露的n型层(11)之上或上方。孔(23)和n侧电极(16)具有二维排列的多个点的图案，p侧电极(15)的面积为0.75mm2以上。
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公开(公告)号：CN119730503A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411134986.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/84
Abstract: 提供能够提高光提取效率的面朝上型紫外发光的发光元件和用于发光元件的绝缘性反射防止层。发光元件(1)是面朝上型紫外发光的发光元件，且具备：n型层(21)，其由n型III族氮化物半导体形成；活性层(22)，其设置在n型层(21)之上且由III族氮化物半导体形成；p型层(23)，其设置在活性层(22)之上且由p型III族氮化物半导体形成；p侧电极(50)，其设置在p型层(23)的局部之上；以及绝缘性反射防止层(60)，其设置在p型层(23)的另一处局部之上，且由具有绝缘性的材料形成，且防止发光波长的紫外光的反射。
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公开(公告)号：CN105390579A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510523200.X
申请日：2015-08-24
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 牧野浩明
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/005 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明提供半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法。即便为了提高半导体发光元件的光取出效率而在基板的背面侧采用比较大的凹凸，仍能容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域。半导体发光元件晶片由具有第1面和作为与其相反侧的面的第2面的基板、形成于该第1面的半导体发光元件层构成。在半导体发光元件晶片形成多个半导体发光元件基体，该半导体发光元件基体在相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部具有分离区域。在基板的第2面中，不与分离区域相当的部分为粗糙面部，与分离区域相当的部分相比不与分离区域相当的部分平坦，并形成切断起点部。
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公开(公告)号：CN308749296S
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202330502183.7
申请日：2023-08-08
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：发光二极管的罩。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计的整体产品用作发光二极管；请求局部外观保护的部分用作发光二极管的罩。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
5.其他需要说明的情形其他说明：本申请为局部外观设计，由实线表示的部分为请求权利保护的部分，由虚线表示的部分为不要求权利保护的部分，点划线表示请求保护的局部外观设计部分与其他部分的分界线。
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