公开(公告)号：CN1983555B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610162260.4

申请日：2006-12-13

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 池本由平 ,  平田宏治 ,  青木和夫 ,  金子由基夫 ,  氏家建和

IPC: H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/04

Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。

公开(公告)号：CN1983555A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610162260.4

申请日：2006-12-13

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 池本由平 ,  平田宏治 ,  青木和夫 ,  金子由基夫 ,  氏家建和

IPC: H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/04

Abstract: 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。