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公开(公告)号：CN103089592B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310040102.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: F04B41/00
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器用多工位真空排气装置，其包括主腔体、主腔体密封阀、分子泵、插板阀、旁抽阀、机械泵及前级阀。主腔体为整个真空排气装置的公共真空室，其圆周上分布多个外接接头，将公共室分为多个排气支路。主腔体公共真空室与泵组间有两个排气通道。所有阀门均为超高真空气动阀。装置的密封形式均为金属密封。该红外探测器用真空排气装置结构简单、易于拆装、工位数目多、真空度能达到较高水平、主腔体与工位的压强差小、选用的所有阀门和泵组均可自动化控制。
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公开(公告)号：CN111739806B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010623570.1
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种小中心距焦平面探测器的铟球阵列制造方法，方法的步骤为：1)在芯片上涂布光刻胶，并在光刻胶上产生电极孔图形；2)依次蒸镀铬、镍、金三层金属；3)去除光刻胶，产生金属电极；4)沉积介质膜层；5)涂布光刻胶，并在光刻胶上产生接触孔图形；6)刻蚀去除孔内介质膜，并去除光刻胶；7)涂布光刻胶，并在光刻胶上产生铟孔图形；8)蒸镀铟金属；9)去除光刻胶，产生铟柱阵列；10)热回流处理，产生铟球阵列。本发明的优点在于克服了传统金打底层工艺所制作铟柱成球后形貌一致性差的问题，可制作出具有更大占空比的高均匀性、高饱满度铟球阵列，提升焦平面与读出电路倒焊互连的连通率。
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公开(公告)号：CN103134988A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310039535.5
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种多路阻值自动化测量系统。其包括老化电源、多路电子开关阵列、数据采集器、限流电阻、电路保护单元及计算机。其中多路电子开关阵列是一个多路单刀双闸开关阵列，其可根据多路红外器件中的任意一路元器件的测试要求，断开该路元器件与老化电源连接，将其接通至数据采集器，以完成元器件的试验状态与测试状态的自动切换；同时使用数据采集器对切换过来的元器件进行阻值测量，实现阻值自动测试的目的。通过计算机发送向数据采集器的RS232接口方式命令的方式，将测量数据转移至计算机进行存储；此系统实现了对多路元器件自动阻值测试和自动数据存储，提高了元器件老化数据采集的速率、准确度、数据量。
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公开(公告)号：CN109877479B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910246112.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23K28/02
Abstract: 本发明公开了一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法。本方法先通过回熔焊工艺使光敏芯片和读出电路初步形成互连，再采用高平整度材料作为倒焊过渡结构，通过倒焊过渡结构与初步互连的焦平面模块二次冷压焊使光敏芯片和读出电路实现完全互连。本方法将回熔焊和冷压焊工艺有机融合，充分发挥两种工艺的优点，在减小倒焊随机偏移的同时克服了由芯片平整度和铟柱质量引起的互连不上的问题，从而有效的提高大规模高密度焦平面探测器的连通率和倒焊成品率；本方法不受阵列规模和像元尺寸的限制，可以方便地应用于各种面阵器件。
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公开(公告)号：CN109877479A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910246112.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23K28/02
Abstract: 本发明公开了一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法。本方法先通过回熔焊工艺使光敏芯片和读出电路初步形成互连，再采用高平整度材料作为倒焊过渡结构，通过倒焊过渡结构与初步互连的焦平面模块二次冷压焊使光敏芯片和读出电路实现完全互连。本方法将回熔焊和冷压焊工艺有机融合，充分发挥两种工艺的优点，在减小倒焊随机偏移的同时克服了由芯片平整度和铟柱质量引起的互连不上的问题，从而有效的提高大规模高密度焦平面探测器的连通率和倒焊成品率；本方法不受阵列规模和像元尺寸的限制，可以方便地应用于各种面阵器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118248706A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410346963.0
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种增加红外焦平面电学连通率的电极结构及其制备方法。该方法依据光敏芯片与读出电路倒焊互连时的偏移规律，设计并制备光敏芯片矩形电极结构；在倒焊互连过程中，增加读出电路铟柱与光敏芯片矩形电极和铟柱的接触面积，在倒焊偏移存在的情况下，提高了光敏芯片与读出电路耦合互连的电学连通率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列，有效降低红外焦平面探测器盲元率。
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公开(公告)号：CN110488134A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910618856.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/02
Abstract: 本发明公开了一种用于焦平面器件倒焊工艺的快速验证评估芯片和方法。本发明采用原有芯片工艺，同步制作与实际光电探测芯片和读出电路芯片的互连电极及机械特性充分相似的两种快速验证芯片，对其进行倒焊操作，再通过简单的测试快速评估倒焊效果、优化倒焊参数及预期成品率等；本方法中两种快速验证芯片的互连电极的抽样方式根据各种焦平面器件的特点和实际互连要求设定，抽样率根据测试分析要求设定；对不同形状的器件，互连电极可按角、边、中部或行与列的方式进行抽样，或混合抽样；对每类抽样设定相应的互连方式和测试电极，从而获得连通和短路特性两种测试效果；本方法不受阵列规模和像元尺寸限制，可以方便地推广应用于各种焦平面器件。
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公开(公告)号：CN103089592A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310040102.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: F04B41/00
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器用多工位真空排气装置，其包括主腔体、主腔体密封阀、分子泵、插板阀、旁抽阀、机械泵及前级阀。主腔体为整个真空排气装置的公共真空室，其圆周上分布多个外接接头，将公共室分为多个排气支路。主腔体公共真空室与泵组间有两个排气通道。所有阀门均为超高真空气动阀。装置的密封形式均为金属密封。该红外探测器用真空排气装置结构简单、易于拆装、工位数目多、真空度能达到较高水平、主腔体与工位的压强差小、选用的所有阀门和泵组均可自动化控制。
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公开(公告)号：CN118248705A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410346856.8
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种抑制红外焦平面倒焊偏移的凸点限位结构及其制备方法。该方法依据硅读出电路芯片上铟凸点尺寸，设计并制备光敏芯片上四周N电极区域凸点限位结构；在倒焊互连过程中，光敏芯片四周的限位结构先于中心区域铟凸点插入到读出电路上的铟凸点阵列中，当中心像元区域铟凸点阵列产生互连接触时，起到抑制倒焊横向偏移的作用，降低倒焊偏移导致的探测器盲元，从而提高红外焦平面探测器有效像元率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差容忍度低的高密度小像元焦平面阵列。
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公开(公告)号：CN118248704A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410346779.6
申请日：2024-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种小间距红外焦平面混成互连铟柱结构及其制备方法。该方法分别在光敏芯片与读出电路两端设计并制备矩形铟柱凸点结构；该矩形铟柱凸点结构在倒焊互连产生偏移方向上增加了接触面积，一方面提高了偏移方向上的摩擦阻力，起到一定的倒焊偏移抑制效果，另一方面在倒焊偏移仍然存在的情况下，增加单像元的电学连通概率，从而提高红外焦平面探测器的有效像元率。本发明不受阵列规模和像元尺寸限制，尤其适用于对倒焊偏差敏感的高密度小像元焦平面阵列。
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