公开(公告)号：CN101834152A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010152466.5

申请日：2010-04-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  马晓波 ,  宋志棠 ,  刘旭焱 ,  刘波 ,  封松林

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。

公开(公告)号：CN101834152B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201010152466.5

申请日：2010-04-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  马晓波 ,  宋志棠 ,  刘旭焱 ,  刘波 ,  封松林

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。