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公开(公告)号：CN116718639A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310365344.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线传感器的阈值电压标定及定量测试方法，利用硅纳米线传感器表面探针修饰前、后阈值电压的变化量，对目标物的阈值电压响应进行归一化处理，确定目标物响应标准曲线，来获取目标物的阈值电压响应所对应的目标物的浓度；本发明在阈值电压标定前后，测试结果的一致性显著提升，可重复性好，标定过程不需要额外的设备，标定过程和测试过程可使用同一个设备，有效节省了成本，标定过程对硅纳米线传感器是无损的，不影响硅纳米线传感器的后续测试。
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公开(公告)号：CN119023771A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411133936.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种DNA四面体纳米结构介导的一维场效应晶体管传感器，所述一维场效应晶体管传感器包括：一维场效应晶体管和修饰在其表面的DNA四面体纳米结构。用于解决现有技术中一维场效应晶体管传感器在高盐离子浓度检测中的德拜屏蔽长度的限制问题，实现高盐离子浓度下目标物的直接检测。
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公开(公告)号：CN116593532A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310602055.9
申请日：2023-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00 , C12Q1/6806
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线传感器的饱和电流响应标定测试方法，利用硅纳米线传感器的电流响应饱和值对标准溶液的电流响应值进行归一化处理，建立硅纳米线传感器对含有目标物溶液的响应标准曲线，利用测试获取所需要的待测样品和标定溶液的电流响应值，基于标定后的响应标准曲线确定对应的待测样品浓度，标定测试结果稳定，具有良好的重复性且标定测试过程方便。相比利用其他的标定手段，利用电流响应饱和值标定不用依赖昂贵的设备，标定过程简洁且标定成本低。此外，在标定过程中，不会对硅纳米线传感器的本身造成损害，不影响硅纳米线传感器的使用性能。
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公开(公告)号：CN118191066B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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公开(公告)号：CN118191066A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410605815.6
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。
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