多层堆叠电阻转换存储器结构

    公开(公告)号:CN102185104A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201110091476.7

    申请日:2011-04-12

    Abstract: 本发明涉及一种多层堆叠电阻转换存储器结构,具有以下的特征:电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层;每层的电阻转换存储层中含有选通管和对应的电阻转换存储单元,单个选通管选通至少两个电阻转换存储单元;选通管为双极型晶体管、肖特基二极管、PN二极管或者为氧化物二极管;多层堆叠电阻转换存储器结构还包含外围电路,各层电阻转换存储层共享外围电路。该器件结构能大幅提高存储器的密度,而且通过共享外围电路节省了外围电路的面积,并且多个存储单元共用选通管就有效地增大了选通二极管的面积,也就增大了选通管的驱动电流,给电阻转换存储器的编程操作留出了更多的空间。

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