公开(公告)号：CN114709330A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210229678.1

申请日：2022-03-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 ,  郑加 ,  宋志棠 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种高密度相变存储材料、相变存储器及其制备方法，所述相变存储材料包括：基底、缓冲层、超晶格相变材料层、介质隔离层。相变存储器包括上电极层、相变材料层以及下电极层。该相变存储器表现出稳定的多级电阻态与快速的擦写操作特性，有望满足存算一体和神经形态器件的应用需求。

公开(公告)号：CN119603975A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411735400.7

申请日：2024-11-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 ,  郑加 ,  邹茜茜 ,  宋志棠

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明涉及一种包含嵌入式刀片状加热电极的半导体相变存储器单元，包括底部接触电路(01)、加热电极(04)、阻挡层(05)、硫系化合物材料层(07)，硬掩模(08)、顶电极(11)和绝缘介质层；所述硫系化合物材料层(07)上部通过硬掩模(08)与顶电极(11)形成电性连接；所述加热电极(04)为刀片状结构，其顶部嵌入在所述硫系化合物材料层(07)内部并与硫系化合物材料层(07)连接，其底部与底部接触电路(01)连接。本发明方法能够减少操作过程中的热损耗，提高热效率，提高相变存储器件的稳定性。

公开(公告)号：CN114694712A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210167285.2

申请日：2022-02-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑加 ,  蔡道林 ,  宋志棠

IPC: G11C13/00 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

Abstract: 本发明涉及一种多阻态非易失存储器件及其布尔逻辑实现方法，阻态非易失存储器件包括多阻态存储单元、选通单元、字线和位线，所述选通单元包括漏端、源端和栅端，所述选通单元的栅端和字线连接、源端接地，所述多阻态存储单元的一端和选通单元的漏端连接、另一端和位线连接；所述位线用于输入控制信号B来决定多阻态存储单元执行与、或、异或逻辑运算，所述字线用于输入二值信号W来控制选通单元的打开或关闭。本发明无需预先配置多阻态存储单元状态，具有多级输入、可并行以及可级联操作的特点，有望用于神经形态器件突触的权值更新和高通量存储器存内计算的实现。