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公开(公告)号：CN101866959B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010175937.4
申请日：2010-05-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于单晶硅衬底的宽谱宽角吸收太阳电池类蛾眼减反结构及其制作方法，其特征在于借助仿生学原理，采用类蛾眼微纳结构作为减反层，增加光能捕获；微纳结构是采用拉膜(LM)法形成密集单层硅或硅化物颗粒网络，作为掩模形成的；采用干法刻蚀工艺，刻蚀单晶Si，形成微纳结构，避免了湿法腐蚀腐蚀深度受限的不足；调节掩模颗粒大小和密度，来调节类蛾眼微纳结构的光学折射系数梯度，实现0-60度宽入射光的宽角度吸收；采用调节微纳结构的尺寸(20-800纳米)、深度和周期性的方法，实现红外、可见、紫外(250纳米-2.5微米)的宽谱段光能吸收，从而提高电池效率。
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公开(公告)号：CN102354712A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110180063.6
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0376 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C16/40 , C23C16/24
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种宽谱高反射率异形分布式布拉格(IDBR)结构及制作方法，其特征在于所述的IDBR结构通过在n对中心波长为λ2(λ2＝700-1300nm)的常规分布式布拉格(DBR-B)多层膜结构上生长m对中心波长为λ1(λ1＝400-700nm)的常规分布式布拉格(DBR-A)多层膜形成。所述的DBR-A或DBR-B由非晶硅(或非晶锗硅α-GexSi1-x，0＜x≤1)与硅化物或金属(包括SN、SiO2、Ag或Al)薄膜周期性交替组合而成，厚、薄层厚度TH、TL分别由TH＝λ1(2)/(4nH)和TL＝λ1(2)/(4nL)确定，nL、nH分别代表薄、厚层折射系数。本发明所述IDBR结构可在波长为400nm-1270nm的宽谱范围内实现89％以上高平均反射率，适用于超薄(≤50微米)晶硅太阳电池和薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN102290595B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110180043.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/136 , H01M4/58 , H01M4/1397 , H01M10/058 , H01M10/0562
Abstract: 本发明涉及一种全固态高循环寿命薄膜锂电池及其制作方法，其特征在于薄膜锂电池组成为：①在玻璃衬底表面溅射一层Al薄膜；②在Al薄膜表面溅射沉积一层氮化镍钴薄膜，作为阳极薄膜，氮化镍钴薄膜的组成通式为ComNi1-mN(0＜m＜1)；③在氮化镍钴薄膜的表面溅射沉积组成通式为Li1+xMxTi(PO4)3薄膜(0＜x＜2)，M为Al、Sc、Y、Fe或Cr；④在Li1+MxTi(PO4)3薄膜上沉积一层金属锂薄膜；⑤在Li薄膜沉积Ni薄膜作为阴极集电极；⑥在Li薄膜表面覆盖封装后，且分别在阴极和阳极集电极处引出Au处。且具有制备工艺简单，不需要高温退火过程，电池按国标测定充放电循环次数达1500次，且保持电池容量80％，且可通过沉积多层膜方法实现高电压输出，在微能源、传感器以及网络方面有广泛应用。
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公开(公告)号：CN102117699B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010590616.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。
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公开(公告)号：CN101625558A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910056429.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B19/05 , H02J7/00 , H01M8/04 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0304 , H01M8/10 , H01M10/36
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种基于可再生燃料电池的野外应急可再生能源管理系统及其实施方法，由太阳能电池、燃料电池、蓄电池、储氢瓶、水罐、逆变器、负载、可编程逻辑能源控制单元和无线收发模块等单元互相连接组成。通过可编程逻辑能源控制中心的智能化管理，实现太阳能的有效利用，系统电力不足时通过GPRS向指挥中心发送信号；该系统具有智能化、长时间供电、无人值守等特点，使管理系统的总体能量转换效率高于10％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101383385A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810200672.1
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于玻璃衬底的可调带隙薄膜太阳能电池及其制作方法，其特征在于采用不同带隙结构材料α－SiC、αGexSi1－x、μ－Si作为吸收层，组成三节结构，增加光能捕获；采用调节本征层Ge、Si成分比例的方法，获得不同的带隙，从而增强光能吸收；采用PECVD成膜，工艺加工耗能少；采用激光划片，实现电池片内串连，无需光刻工艺，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN102324586A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110180076.3
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/46 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种高重量比能量密度微能源系统、方法及应用。其特征在于所述的系统组成为：(1)在GaAs电池背表面溅射生长Al薄膜；(2)在Al膜表面溅射沉积氮化镍钴，其通式为ComNi1-mN，式中0＜m＜1；(3)在氮化镍钴薄膜表面溅射沉积Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜；(4)在Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜上沉积金属Li薄膜；(5)在Li薄膜表面溅射成膜一层Cu薄膜；(6)溅射(2)-(5)时在Al膜表面用不锈钢掩模板紧贴在露出未覆盖多层膜的Al表面，依次要装能源管理电路和RF模块，用金线连接GaAs电池正极、Li电池阳极、能源管理模块输出端和RF收发模块输出端。提供的高重量比能量密度高达438wh/kg，可连续5天在阴天条件下工作，为物联网节点微型化长时间供电及野外应用提供技术手段。
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公开(公告)号：CN102117699A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010590616.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。
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公开(公告)号：CN100555674C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810200672.1
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于玻璃衬底的可调带隙薄膜太阳能电池及其制作方法，其特征在于采用不同带隙结构材料α-SiC、αGexSi1-x、μ-Si作为吸收层，组成三节结构，增加光能捕获；采用调节本征层Ge、Si成分比例的方法，获得不同的带隙，从而增强光能吸收；采用PECVD成膜，工艺加工耗能少；采用激光划片，实现电池片内串连，无需光刻工艺，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN102324586B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110180076.3
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/46 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种高重量比能量密度微能源系统、方法及应用。其特征在于所述的系统组成为：(1)在GaAs电池背表面溅射生长Al薄膜；(2)在Al膜表面溅射沉积氮化镍钴，其通式为ComNi1-mN，式中0＜m＜1；(3)在氮化镍钴薄膜表面溅射沉积Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜；(4)在Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜上沉积金属Li薄膜；(5)在Li薄膜表面溅射成膜一层Cu薄膜；(6)溅射(2)-(5)时在Al膜表面用不锈钢掩模板紧贴在露出未覆盖多层膜的Al表面，依次要装能源管理电路和RF模块，用金线连接GaAs电池正极、Li电池阳极、能源管理模块输出端和RF收发模块输出端。提供的高重量比能量密度高达438wh/kg，可连续5天在阴天条件下工作，为物联网节点微型化长时间供电及野外应用提供技术手段。
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