公开(公告)号：CN115505859A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211368131.6

申请日：2022-11-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张燕辉 ,  于广辉 ,  肖润涵 ,  陈志蓥

IPC: C22F1/08 ,  C23C8/20 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明提供一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法，包括以下步骤：S1：铜基合金衬底退火；S2：通入碳源开始石墨烯生长，按氢碳比的不同分为三个阶段：第一阶段，以(80～10000):1的高氢碳比气氛维持一定时间，使石墨烯无法在衬底表面形成，保证足量碳源均匀溶入铜基合金衬底；第二阶段，相比第一阶段降低气氛中的氢碳比使其低于80:1，维持一定时间，使衬底表面迅速形成单层石墨烯；第三阶段，相比第二阶段同时降低氢气和碳源浓度并降温，实现多层石墨烯生长；S3：结束生长。本发明方法操作简单，重复性好，不仅可以明显提高铜基合金衬底上多层石墨烯的覆盖率，而且有利于提高多层石墨烯层数均匀性。

公开(公告)号：CN115505859B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211368131.6

申请日：2022-11-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张燕辉 ,  于广辉 ,  肖润涵 ,  陈志蓥

IPC: C22F1/08 ,  C23C8/20 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明提供一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法，包括以下步骤：S1：铜基合金衬底退火；S2：通入碳源开始石墨烯生长，按氢碳比的不同分为三个阶段：第一阶段，以（80~10000）:1的高氢碳比气氛维持一定时间，使石墨烯无法在衬底表面形成，保证足量碳源均匀溶入铜基合金衬底；第二阶段，相比第一阶段降低气氛中的氢碳比使其低于80:1，维持一定时间，使衬底表面迅速形成单层石墨烯；第三阶段，相比第二阶段同时降低氢气和碳源浓度并降温，实现多层石墨烯生长；S3：结束生长。本发明方法操作简单，重复性好，不仅可以明显提高铜基合金衬底上多层石墨烯的覆盖率，而且有利于提高多层石墨烯层数均匀性。