公开(公告)号：CN1170175C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN02111827.2

申请日：2002-05-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 章宁琳 ,  宋志棠 ,  林成鲁 ,  汪洋

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/03

Abstract: 本发明涉及一种具有双绝缘埋层SOI基的二维光子晶体波导及制备方法，属于光电子技术领域。特征在于顶层硅上形成具有线缺陷的二维周期结构，介质为Si或为硅和能与Si构成折射率差大于2的介质材料；周期常数a：0.18～0.5μm，介质孔径d：0.225～0.9μm；线缺陷宽度w＝1.5～3a。双绝缘埋层为SiO2/Si3N4，或SiO2/Al2O3，或SiO2/AlN，或Al2O3/AlN，或Al2O3/Si3N4，或AlN/Si3N4中的一种，双绝缘埋层厚度0.2-3μm。其制作方法是采用改进智能剥离法H+、He+离子共注入然后结合电子束光刻和深反应离子刻蚀。本波导的优势是在大角度转弯时能量损失非常小，几乎为零，从而解决了光学集成电路中由于传统波导造成的瓶颈难题，使光子晶体在制备高集成、且与传统微电子平面加工工艺相匹配的光学集成电路中具有现实意义。

公开(公告)号：CN1383003A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02111827.2

申请日：2002-05-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 章宁琳 ,  宋志棠 ,  林成鲁 ,  汪洋

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/03

Abstract: 本发明涉及一种具有双绝缘埋层SOI基的二维光子晶体波导及制备方法,属于光电子技术领域。特征在于顶层硅上形成具有线缺陷的二维周期结构,介质为Si或为硅和能与Si构成折射率差大于2的介质材料;周期常数a:0.18～0.5μm,介质孔径d:0.225～0.9μm;线缺陷宽度w=1.5～3a。双绝缘埋层为SiO2/Si3N4,或SiO2/Al2O3,或SiO2/AlN,或Al2O3/AlN,或Al2O3/Si3N4,或AlN/Si3N4中的一种,双绝缘埋层厚度0.2－3μm。其制作方法是采用改进智能剥离法H+、He+离子共注入然后结合电子束光刻和深反应离子刻蚀。本波导的优势是在大角度转弯时能量损失非常小,几乎为零,从而解决了光学集成电路中由于传统波导造成的瓶颈难题,使光子晶体在制备高集成、且与传统微电子平面加工工艺相匹配的光学集成电路中具有现实意义。