公开(公告)号：CN104966744A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510394993.X

申请日：2015-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卞剑涛 ,  祝方舟 ,  刘正新

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层的掺杂制备，通过对重掺杂层的选择性腐蚀得到p+层或n+层上表面的微绒结构。本发明技术有利于晶体硅太阳电池性能的提高。

公开(公告)号：CN105624795B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201610133650.2

申请日：2016-03-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘正新 ,  祝方舟 ,  王栋良 ,  刘金宁

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。

公开(公告)号：CN104966744B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510394993.X

申请日：2015-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卞剑涛 ,  祝方舟 ,  刘正新

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层的掺杂制备，通过对重掺杂层的选择性腐蚀得到p+层或n+层上表面的微绒结构。本发明技术有利于晶体硅太阳电池性能的提高。

公开(公告)号：CN105624795A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610133650.2

申请日：2016-03-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘正新 ,  祝方舟 ,  王栋良 ,  刘金宁

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  C30B33/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。