公开(公告)号：CN102497181A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110436258.2

申请日：2011-12-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王兆敏 ,  蔡道林 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: H03K17/22

Abstract: 本发明提供一种超低功耗上电复位电路。该电路至少包括：基于阈值对电源电压进行采样以输出采样信号的电源采样电路；用于将所述采样信号整形为阶跃信号且与所述电源采样电路构成正反馈连接的整形电路；用于将所述阶跃信号予以延迟的延迟电路；用于基于所述阶跃信号及延迟后的阶跃信号来输出上电复位信号的异或电路。本电路结构简单，其通过正反馈能使电路快速进入稳定状态，有效提高抗噪性能，且电路功耗极低。

公开(公告)号：CN102497181B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201110436258.2

申请日：2011-12-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王兆敏 ,  蔡道林 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: H03K17/22

Abstract: 本发明提供一种超低功耗上电复位电路。该电路至少包括：基于阈值对电源电压进行采样以输出采样信号的电源采样电路；用于将所述采样信号整形为阶跃信号且与所述电源采样电路构成正反馈连接的整形电路；用于将所述阶跃信号予以延迟的延迟电路；用于基于所述阶跃信号及延迟后的阶跃信号来输出上电复位信号的异或电路。本电路结构简单，其通过正反馈能使电路快速进入稳定状态，有效提高抗噪性能，且电路功耗极低。

公开(公告)号：CN102708398A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210209033.8

申请日：2012-06-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 蔡道林 ,  陈后鹏 ,  王兆敏 ,  宋志棠

IPC: G06K19/077

Abstract: 本发明提供一种具有相变存储器的RFID标签。所述RFID标签包括：包含天线的信号收发单元；与所述信号收发单元连接的模拟信号处理单元，用于由所述信号收发单元所接收的射频信号中获取有用信号、以及将待发送信号处理成射频信号以便由所述信号收发单元来发送；相变存储器单元；以及与所述模拟信号处理单元及相变存储器单元相连接的数字信号处理单元，用于基于所述有用信号来与所述相变存储器单元通信，以便所述相变存储器单元将有用信号中的待存储的数据予以存储、并将待发送信号提供给所述数字信号处理单元。本发明的优点包括：寿命长、功耗低、能与CMOS工艺兼容等。

公开(公告)号：CN102403988A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110435853.4

申请日：2011-12-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王兆敏 ,  蔡道林 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: H03K17/22

Abstract: 本发明提供一种上电复位电路，所述上电复位电路包括检压模块、施密特触发器、反相控制模块及脉冲整形模块。电源上电过程，检压模块检测电源电压变化并输出采样信号；采样信号进入施密特触发器输出阶跃信号，所述阶跃信号一方面输出至所述检压模块用于控制检压模块的快速泻流以拉低采样信号，另一方面通过反相控制模块反相后用于控制检压模块的开关泄流，最后所述阶跃信号经过脉冲整形模块的延迟与异或后输出上电复位信号。本设计结构简单，利用两路反馈控制信号与施密特触发器本身的迟滞特性，本电路得到很高稳定性和抗噪特性且上电结束后电路静态功耗很低。

公开(公告)号：CN102403988B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110435853.4

申请日：2011-12-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王兆敏 ,  蔡道林 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: H03K17/22

Abstract: 本发明提供一种上电复位电路，所述上电复位电路包括检压模块、施密特触发器、反相控制模块及脉冲整形模块。电源上电过程，检压模块检测电源电压变化并输出采样信号；采样信号进入施密特触发器输出阶跃信号，所述阶跃信号一方面输出至所述检压模块用于控制检压模块的快速泻流以拉低采样信号，另一方面通过反相控制模块反相后用于控制检压模块的开关泄流，最后所述阶跃信号经过脉冲整形模块的延迟与异或后输出上电复位信号。本设计结构简单，利用两路反馈控制信号与施密特触发器本身的迟滞特性，本电路得到很高稳定性和抗噪特性且上电结束后电路静态功耗很低。

公开(公告)号：CN102931206A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210461713.9

申请日：2012-11-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 蔡道林 ,  陈后鹏 ,  王倩 ,  王兆敏 ,  宋志棠

IPC: H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法，所述相变存储器结构包括选通管及n个相变电阻，所述选通管的源端接地，栅端接字线WL；所述n个相变电阻并列排布，各该相变电阻的一端共同连接在所述选通管的漏端，各该相变电阻的另一端分别连接各自的位线，其中n为整数，n≧2。本发明能够在不改变选通管尺寸的前提下，通过改变相变存储单元及其版图结构，提高相变存储器的密度，获得高密度相变存储器。