公开(公告)号：CN111739801A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010574731.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  游晋豪 ,  程新红 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法，包括：栅介质生长；栅金属生长；刻蚀以制作栅电极；生长第一层钝化层；源漏区欧姆接触；离子注入；生长第二层钝化层；打开源漏窗口；第一深槽刻蚀，第二深槽刻蚀。该方法中p-GaN带来的器件可控性、稳定性优势和SOI带来的器件单片隔离优势有助于实现GaN单片集成半桥电路，大大减少了寄生电感和die的面积，推动了功率开关器件的集成化和小型化。

公开(公告)号：CN111739800A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010573844.0

申请日：2020-06-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  游晋豪 ,  程新红 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种SOI基凹栅增强型GaN功率开关器件的制备方法，包括：第一次钝化；源漏区欧姆接触；离子注入；刻蚀凹栅区域；生长栅介质层和栅金属；第二次钝化；打开源漏窗口；第一次深槽刻蚀；第二次深槽刻蚀。该方法制备的凹栅结构带来的工艺相对简单、栅漏电流小的优势和SOI材料带来的器件单片隔离优势为实现GaN单片集成半桥电路奠定了坚实的基础，为GaN功率器件的发展提供了新方向。

公开(公告)号：CN111739801B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202010574731.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  游晋豪 ,  程新红 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种SOI基p‑GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法，包括：栅介质生长；栅金属生长；刻蚀以制作栅电极；生长第一层钝化层；源漏区欧姆接触；离子注入；生长第二层钝化层；打开源漏窗口；第一深槽刻蚀，第二深槽刻蚀。该方法中p‑GaN带来的器件可控性、稳定性优势和SOI带来的器件单片隔离优势有助于实现GaN单片集成半桥电路，大大减少了寄生电感和die的面积，推动了功率开关器件的集成化和小型化。

公开(公告)号：CN111739800B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202010573844.0

申请日：2020-06-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  游晋豪 ,  程新红 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种SOI基凹栅增强型GaN功率开关器件的制备方法，包括：第一次钝化；源漏区欧姆接触；离子注入；刻蚀凹栅区域；生长栅介质层和栅金属；第二次钝化；打开源漏窗口；第一次深槽刻蚀；第二次深槽刻蚀。该方法制备的凹栅结构带来的工艺相对简单、栅漏电流小的优势和SOI材料带来的器件单片隔离优势为实现GaN单片集成半桥电路奠定了坚实的基础，为GaN功率器件的发展提供了新方向。