公开(公告)号：CN100564583C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200710046884.4

申请日：2007-10-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 江炳尧 ,  冯涛 ,  王曦 ,  柳襄怀

IPC: C23C14/46 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂-碳混合膜，即在溅射沉积铂-碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂-碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。

公开(公告)号：CN101130856A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710046884.4

申请日：2007-10-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 江炳尧 ,  冯涛 ,  王曦 ,  柳襄怀

IPC: C23C14/46 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂－碳混合膜，即在溅射沉积铂－碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂－碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。