公开(公告)号：CN1584634A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410025197.0

申请日：2004-06-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新漫传感技术研究发展有限公司

Inventor： 李铁 ,  王翊 ,  王跃林 ,  林心如 ,  奚庆中

IPC: G02B5/18

Abstract: 本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θc切割形成基片，再对基片进行常规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角θb和切割角度θc满足关系式：θb+θc＝54.7°。所得到的闪耀光栅的闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面{111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。

公开(公告)号：CN1865923A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610027341.3

申请日：2006-06-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  王翊 ,  周宏 ,  王跃林 ,  林心如 ,  奚庆中

IPC: G01N21/25 ,  G01J3/18

Abstract: 本发明涉及一种基于闪耀光栅和热堆探测器的微型集成光栅光谱仪及制作方法，其特征在于由盖板、热堆阵列芯片和光栅芯片按顺序集成组合而成；其中盖板包括一个两面腐蚀的通光孔和下表面的浅槽；热堆阵列芯片的支撑框架支撑整个膜结构；热堆位于介质薄膜上面，引线柱位于支撑框架上，热堆阵列芯片上的通光孔与盖板上的通光孔相对应；光栅芯片上的闪耀光栅是采用特定晶向腐蚀出来的，将特定波长的红外光的最大功率正好反射在热堆的热端薄膜表面。依所述结构采用MEMS工艺制作三块芯片，再采用点胶机点胶键合，或利用粘合剂光刻对准键合，或直接进行Si－Si、Si－玻璃对准键合。具有体积微小、结构稳定、重复性好、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN100491971C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200610027341.3

申请日：2006-06-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  王翊 ,  周宏 ,  王跃林 ,  林心如 ,  奚庆中

IPC: G01N21/25 ,  G01J3/18

Abstract: 本发明涉及一种基于闪耀光栅和热堆探测器的微型集成光栅光谱仪及制作方法，其特征在于由盖板、热堆阵列芯片和光栅芯片按顺序集成组合而成；其中盖板包括一个两面腐蚀的通光孔和下表面的浅槽；热堆阵列芯片的支撑框架支撑整个膜结构；热堆位于介质薄膜上面，引线柱位于支撑框架上，热堆阵列芯片上的通光孔与盖板上的通光孔相对应；光栅芯片上的闪耀光栅是采用特定晶向腐蚀出来的，将特定波长的红外光的最大功率正好反射在热堆的热端薄膜表面。依所述结构采用MEMS工艺制作三块芯片，再采用点胶机点胶键合，或利用粘合剂光刻对准键合，或直接进行Si-Si、Si-玻璃对准键合。具有体积微小、结构稳定、重复性好、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN1242276C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200410025197.0

申请日：2004-06-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新漫传感技术研究发展有限公司

Inventor： 李铁 ,  王翊 ,  王跃林 ,  林心如 ,  奚庆中

IPC: G02B5/18

Abstract: 本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θc切割形成基片，再对基片进行常规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角θb和切割角度θc满足关系式：θb+θc＝54.7°。所得到的闪耀光栅的闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面{111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。