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公开(公告)号：CN104899343B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410077465.7
申请日：2014-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计，所述交叉栅结构MOSFET的版图设计包括：半导体衬底、十字形交叉栅结构、源区及漏区；所述十字形交叉栅结构包括第一条状栅及与所述第一条状栅垂直的第二条状栅，所述第一条状栅及第二条状栅将所述半导体衬底隔成四个区域；所述源区及漏区交替排列于所述四个区域。本发明可以提高有源区的利用率，增加驱动电流，减小栅电阻，提高最大震荡频率；采用交叉栅结构，采用螺旋状分布源极与漏极，充分利用了版图面积，并可实现多叉指栅结构，可以满足设计电路对器件的需求；同时若对栅的连接采用四端连接时，可以有效的降低栅电阻，从而明显提高器件的功率增益与最大振荡频率。
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公开(公告)号：CN104899343A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410077465.7
申请日：2014-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计，所述交叉栅结构MOSFET的版图设计包括：半导体衬底、十字形交叉栅结构、源区及漏区；所述十字形交叉栅结构包括第一条状栅及与所述第一条状栅垂直的第二条状栅，所述第一条状栅及第二条状栅将所述半导体衬底隔成四个区域；所述源区及漏区交替排列于所述四个区域。本发明可以提高有源区的利用率，增加驱动电流，减小栅电阻，提高最大震荡频率；采用交叉栅结构，采用螺旋状分布源极与漏极，充分利用了版图面积，并可实现多叉指栅结构，可以满足设计电路对器件的需求；同时若对栅的连接采用四端连接时，可以有效的降低栅电阻，从而明显提高器件的功率增益与最大振荡频率。
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公开(公告)号：CN104716191A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510131999.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/66045
Abstract: 本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底； 在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或等离子体物理吸附；形成高k栅介质层；在源电极及漏电极之间的高k栅介质层上形成第一栅电极；在半导体衬底的背面形成第二栅电极。直接将石墨烯附着于所需的衬底上，无需进行繁琐的转移，避免了对石墨烯结构造成破坏和杂质污染；该方法制备的双栅双极石墨烯场效应晶体管具备更加优异的开断性能，更高的载流子迁移率以及更小的栅漏电流；工艺流程简单，成本经济，适合基于石墨烯场效应晶体管的大规模生产。
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公开(公告)号：CN104716191B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510131999.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或等离子体物理吸附；形成高k栅介质层；在源电极及漏电极之间的高k栅介质层上形成第一栅电极；在半导体衬底的背面形成第二栅电极。直接将石墨烯附着于所需的衬底上，无需进行繁琐的转移，避免了对石墨烯结构造成破坏和杂质污染；该方法制备的双栅双极石墨烯场效应晶体管具备更加优异的开断性能，更高的载流子迁移率以及更小的栅漏电流；工艺流程简单，成本经济，适合基于石墨烯场效应晶体管的大规模生产。
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