公开(公告)号：CN106159085A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510152654.0

申请日：2015-04-01

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李莹 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/822

Abstract: 本申请提供了一种相变存储单元及其制作方法。其中，该相变存储单元包括第一介电材料层和位于第一介电材料层上的第二介电材料层，第一介电材料层中设置有第一电极和位于第一电极上的第二电极，第二介电材料层中设置有相变材料层和位于相变材料层上的第三电极，其中，第二电极的上表面低于第一介电材料层的上表面，在第一介电材料层中形成有以第二电极的上表面为底面的凹槽；相变材料层具有与凹槽的结构匹配的凸出部，凸出部与第二电极形成电连接。通过本申请提供的相变存储单元，读入电流的损耗得到减小，从而克服了现有技术中器件的操作电流过大、能耗过高的问题。

公开(公告)号：CN102593350B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201110020727.2

申请日：2011-01-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘波 ,  宋志棠 ,  张挺 ,  李莹 ,  钟旻 ,  封松林

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。

公开(公告)号：CN102593350A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110020727.2

申请日：2011-01-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘波 ,  宋志棠 ,  张挺 ,  李莹 ,  钟旻 ,  封松林

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。