公开(公告)号：CN103199020B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201310069819.9

申请日：2013-03-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴蕾 ,  成霁 ,  金庆辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G01R31/26 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明涉及一种基于PI的液栅型石墨烯场效应管的制备方法和检测方法，其特征在于在硅基底上沉积铝层作为牺牲层；将PI光刻胶旋涂在铝层上作为柔性场效应管的基底；以商品化的石墨烯/聚甲基酸甲酯薄膜转移至预先沉积在PI基底上的钛/金电极，形成良好的欧姆接触；以AZ4620光刻胶作为石墨烯图形化的掩模层；以氧等离子体对石墨烯进行刻蚀；利用PI光刻胶在图形化的石墨烯表面制作绝缘层，形成液栅型的结构。本发明提供的场效应管结构为液栅型，这样既可以减少加工的步骤又便于对石墨烯表面进行进一步的表面修饰，从而实现对各种生物信号的特异性检测。

公开(公告)号：CN103199020A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310069819.9

申请日：2013-03-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴蕾 ,  成霁 ,  金庆辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G01R31/26 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明涉及一种基于PI的液栅型石墨烯场效应管的制备方法和检测方法，其特征在于在硅基底上沉积铝层作为牺牲层；将PI光刻胶旋涂在铝层上作为柔性场效应管的基底；以商品化的石墨烯/聚甲基酸甲酯薄膜转移至预先沉积在PI基底上的钛/金电极，形成良好的欧姆接触；以AZ4620光刻胶作为石墨烯图形化的掩模层；以氧等离子体对石墨烯进行刻蚀；利用PI光刻胶在图形化的石墨烯表面制作绝缘层，形成液栅型的结构。本发明提供的场效应管结构为液栅型，这样既可以减少加工的步骤又便于对石墨烯表面进行进一步的表面修饰，从而实现对各种生物信号的特异性检测。